X射线聚束透镜原理及其应用

本文阐述了一种新型的Ｘ射线聚束装置─—Ｘ射线透镜的聚束原理。给出了透镜的基本设计方法，并对它应用于Ｘ射线光刻研究领域的前景作了展望。     

光刻照明系统匀光技术研究

本文通过对国际上流行的几种光刻照明方式的分析对比，揭示每一方法实现高均匀度照明的实质与规律；提出高均匀照明系统理论光照均匀度的计算方法；并以“均匀器”为重点，论证了各种匀光措施的优越性与存在的问题以及匀光器的优化设计方案；最后为这一技术的进一步发展提出了几点设想。     

影干涉光刻技术

采用λ／２的光束复制出了更高分辨率极限的线间图形，它将电路图形的ＣＤ尺寸极限推进到λ／４，当采用１９３ｎｍ光源曝光时，ＣＤ尺寸为５０ｎｍ以下。干涉光刻技术（ＩＬ）探讨了这种周期性图形的最终极限。影像干涉光技术未来的发展，将使光学方法１００ｎｍ 下的电路图形成为可能。     

涤锦复合丝的剥离研究

根据对涤锦复合丝的剥离－碱减量处理技术，按照ＮａＯＨ溶液的浓度，反应温度、时间、渗透剂和促进剂的浓度，进行一系列试验，并对影响剥离的各因素作了分析，得到一些相关结果。     

微加速度计粘附问题的研究及应用

粘附是影响微机电系统(MEMS)可靠性的重要因素之一。针对MEMS的典型产品——微加速度计的粘附问题进行了研究,给出了2种典型的微加速度计的表征粘附特性的剥离数的表达式,并分析了将粘附条件应用于微加速度计的多学科设计优化之中,分析了其对系统结构设计产生的影响。     

同步辐射光刻技术

同步辐射光刻有希望代替传统光刻技术,用于0.25μm以下图形的超精细加工。本文叙述了它的原理、相关技术的开发现状和工艺应用。     

光刻系统层间套刻精度的评估

<正> 每一代新的半导体芯片都具有更精细的结构。因此,生产线通常也就需要更新的光刻设备。为组建经济实用的生产线,就必须考虑几个因素,其中很多因素在一定程度上很容易从可选设备的指标中看到,但另一些因素却比较复杂,仅从技术指标中不易得到。 本文论述最为复杂的光刻要求,即层间套刻精度O/L。O/L是很复杂的,它不仅受设备特性的影响,还受掩模精度、对准标记质量、甚至受由工艺引起电子形变的影响。由于这种多重的依赖性,尽管O/L经常出现设备手册中,但却不能只定义为设备的特性指标。     

缺陷问题驱动浸没光刻技术发展

涂层的应用导致晶圆上缺陷的增加或者使光刻表现发生变化虽然现在推测浸没光刻技术的量产时间还太早,但是许多公司正在努力确定生产线何时能从干法工艺跃为湿法工艺。根据最近在San Jose举办的     

光刻技术及其新进展

介绍了用于制作半导体集成电路的光刻工艺的概念、分类及发展过程，阐述了当前光刻工艺的主流，并重点介绍了极紫外光刻、X射线光刻、电子束光刻、离子束光刻、纳米图形转印等下一代光刻技术的特点及其面临的挑战。