卷轴式贴标签机剥离机构的优化设计

探讨了用解析的方法解决压敏标签贴标签机的剥离刀口的优化设计问题，分别提出了剥离刀口处的张力功、摩擦功、弹塑性变形功和剥离功的计算模型，并对结果进行了讨论，结果表明，剥离刀口的曲率半径存在一个最优值，此值分别与纸带预张力、压敏胶的特性、标签的瞬时剥离宽度、底纸带特性等有关。     

特种印刷(六)

光 刻 ①何谓腐蚀技术 这里所说的腐蚀,即用酸对金属版面进行腐蚀,是凹版制版技术之一。 在覆盖抗蚀膜的铜板上,用细针划痕描绘出图案。被细针刮掉的部分就会显现出裸露金属。将此铜版浸于酸中,裸露金属便被腐蚀,被针刮过的图线部分便形成凹陷。改变酸的腐蚀时间,可以改变图线的深浅和粗细。对此铜板施墨,凹陷的部分便上墨,然后     

LB技术制备大面积超薄PMMA抗蚀层的研究

采用自行研制的ＬＢ自动提膜装置，制备出大面积（１０×８ｃｍ２）、高质量的ＰＭＭＡ超薄抗蚀剂膜，并将其用于高分辨率铬掩模版的研制。通过电子束曝光，湿法蚀刻，制作了分辨率优于０．５μｍ，特征线宽０．３８μｍ的４（１００ｍｍ）铬掩模版。     

挤出复合膜剥离牢度的应用研究

本文重点阐述在挤出复合薄膜生产中，不使用粘合剂时如何提高和解决复合膜剥离牢度的技术问题。     

用LIGA技术制作微马达构件

阐述了LIGA技术的组成及特点。对LIGA工艺掩膜、X射线光刻、电铸及塑铸等进行了朱理分析。用一次成型法制作了以聚酰亚胺为衬基、以Au为吸收体的X射线光刻掩膜。简单介绍了这种掩膜的制作工艺过程，并用这种掩膜在北京电子对撞机国家实验室进行了同步辐射X射线光刻，得到了深度为500μm，深宽比达8．3的PMMA材料的微型电磁马达联轴器结构。给出掩膜和X射线光刻照片。同时，对Au、Ni等金属材料的厚膜电铸进行了工艺研究。     

10W QCW operation of a proton implanted GaAlAs diode laser array

We report one thick layer of hard-baked photoresist mask.The laser array stripe pattern was defined by standard wet lithography.With this mask, a 10 W QCW(quasi-continuous wave) operation of a narrow proton implanted multiple stripe conventional single quantum well separate confinement heterostructure(SQW-SCH) GaAlAs diode laser array has been realized.These devices exhibit the lateral far-field radiation pattern of a phase-locked array of gain-guided semiconductor injection laser array. The twenty stripe laser array has a lateral far-field beam divergence full width at half maximum (FWHM) of less than 3°, and three twenty stripe laser array has a beam divergence in the plane of the junction of about 9°.