无溶剂重防腐环氧涂料的制备与研究

采用中低相对分子质量树脂体系以及改性脂环胺固化剂,以化学、物理防锈颜料,体质填料为粉料体系制备无溶剂重防腐环氧涂料。通过 EIS、划线盐雾剥离、耐 3. 5% NaCl溶液和 10% NaOH溶液、混合溶液浸泡后的附着力,研究了涂层屏蔽性、耐碱性、湿态附着力。结果表明：铁钛粉、 绢云母粉、长石粉粉料体系涂层屏蔽性、耐碱性最佳;改性脂环胺固化剂屏蔽性好,湿态附着力性能优异;采用 EIS、划线盐雾剥离,耐 3. 5% NaCl溶液、 10% NaOH溶液浸泡以及混合溶液浸泡后附着力下降程度来评价涂层屏蔽性、耐碱性、湿态附着力性能具有一定的可参考性,研究结果与涂层耐阴极剥离实验性能正相关,可用于涂层耐阴极剥离性能的早期评价与判断。     

堆焊结构的氢浓度分布及其对剥离断裂的影响

采用有限元分析方法计算堆焊结构中氢浓度的分布，并将电解充氢试验条件下试块中氢扩散行为的计算结果和高压釜试验条件的计算结果进行对比分析。计算结果表明，采用电解充氢方法，可以在熔合线附近获得与高压釜充氢数值相近的氢浓度峰值，而到达这一峰值的时间较短。通过解析模型比较了不同试样条件和电解充氢条件对试验结果的影响。结果显示，增大充氢电流密度，延长充氢时间，减薄母材厚度，均使氢浓度峰值升高，从而使堆焊层剥离     

三巨头携手缩小芯片电路尺寸

NAND闪存领域的几个竞争对手居然结成了联盟,欲将芯片电路的尺寸缩小一半。三个貌似不太可能的盟友已联合起来,将生产NAND闪存芯片和微处理器所用的制造工艺的尺寸缩小一半,旨在大幅提高固态硬盘(SSD)的密度和容量,并且制造出速度更快、耗能更少的处理器。     

Challenges of 22 nm and beyond CMOS technology

It is predicted that CMOS technology will probably enter into 22 nm node around 2012. Scaling of CMOS logic technology from 32 to 22 nm node meets more critical issues and needs some significant changes of the technology, as well as integration of the advanced processes. This paper will review the key processing technologies which can be potentially integrated into 22 nm and beyond technology nodes, including double patterning technology with high NA water immersion lithography and EUV lithography, new devi...     

Nikon步进重复光刻机的对位机制

具体探讨了Nikon步进重复光刻机掩膜版和硅片的对位过程及硅片对位结果的检测方法.分析了硅片对位过程中产生的对偏现象,用EGA算法对对偏进行计算和补偿,同时探讨了对偏产生的原因及对应的处理方法,给掩膜-硅片的对位过程中出现的问题提供了解决方案.     

CoS QDs/PDMS纳米复合薄膜的制备与红外特性研究EI北大核心CSCD

过渡金属硫属化合物(TMCs)由于具有优异的光学、电学及光电等特性,被广泛应用于光催化、太阳电池、激光器等领域。作为一类典型的TMCs材料,硫化钴量子点(CoS QDs)因禁带宽度较窄而具有优异的近红外吸收特性,有望用于红外技术领域。文中采用液相超声剥离法制备了CoS QDs,再用共混法制备得到CoS QDs/PDMS纳米复合薄膜,并对它们的光学性质进行了研究,结果表明:CoS QDs的平均尺寸约为5 nm,大小均匀,呈球形;CoS QDs与CoS QDs/PDMS纳米复合薄膜在红外波段均存在明显的吸收和发光特性,且复合薄膜的红外吸收特性优于CoS QDs薄膜;随着激发光波长的增加,纳米复合薄膜的光致发光(PL)峰出现了红移,表现出明显的Stokes位移效应和激发波长依赖性。CoS QDs/PDMS纳米复合薄膜优异的红外吸收和发光特性,表明其在红外探测、荧光成像、纳米光子器件等研究领域中具有重要的潜在应用价值,有望成为一种新型红外探测材料。     

基于共享近邻和优化关联策略的边界剥离聚类

边界剥离聚类算法(BP)是一种基于密度的聚类算法,它通过逐渐剥离边界点来揭示聚类的潜在核心,已经被证明是一种十分有效的聚类手段.然而, BP算法仍存在一些不足之处:一方面,数据点的局部密度仅考虑了距离特征,使得边界点的确定不够合理;另一方面, BP算法中的关联策略容易误判异常值,并且在分配边界点时容易产生连带错误.为此,本文提出了一种基于共享近邻和优化关联策略的边界剥离聚类算法(SOBP).该算法使用了基于共享近邻的局部密度函数来更好地探索数据点之间的相似性,同时优化了BP算法中的关联策略,使得每次迭代中边界点不再仅与一个非边界点进行关联,并进一步采用了边界点与非边界点、已剥离边界点之间的双重关联准则.在一些数据集上的测试表明,相较于其他6种经典算法,该算法在评估指标上表现更佳.     

基于计算全息的斜面和曲面光刻

斜面和曲面微结构元件在微电子学、微光学、微流体学等领域有着重要的应用,为了实现快速、低成本的斜面和曲面光刻,提出了利用基于液晶空间光调制器的纯相位计算全息技术投影目标图案到斜面和曲面进行曝光的方法。生成了斜面和球面全息光场,对光场进行消散斑和杂散光去除的处理,完成了斜面和球面光刻实验验证。实验结果表明:该方法加工效率高、设计灵活多变,不受单一结构限制,是一种极具潜力的三维微纳加工方法。     

n型单晶硅片的电阻率和扩散方阻对IBC太阳电池电性能的影响

叉指背接触式(IBC)太阳电池因正面没有金属栅线遮挡,具有较高的短路电流,且组件外观更加美观。但由于IBC太阳电池正负电极在背面交叉式分布,在制备过程中需要采用光刻掩模技术进行隔离,难以实现大规模生产。采用Quokka软件仿真模拟了电阻率和扩散方阻对n型IBC太阳电池效率的影响,并对不同电阻率和扩散方阻的电池片进行了实验验证,从n型单晶硅片电阻率的选择和扩散工艺优化方面为IBC太阳电池的规模化生产提供了理论基础。实验结果表明,电阻率为3~5Ω·cm、扩散方阻为70Ω/时,小批量生产的IBC太阳电池平均光电转换效率可达23.73%,开路电压为693 mV,短路电流密度为42.44 mA/cm²,填充因子为80.69%。     

基于Cr原子光刻技术的nm光栅间距比对测量定值方法研究

建立了一种基于Cr原子光刻技术的nm光栅间距比对测量定值方法。以国家自溯源光栅标准物质来建立标准样板校准溯源体系的可行性为基础,保障测量仪器更高精度、可溯源性;设计并制备了节距长度有序递增的多周期电子束直写光栅样板,满足可适配于不同分辨率的nm测量仪器的需求,名义节距值分别为200、400、600、800、1 000 nm。经国家自溯源光栅标准物质比对后的AFM完成对nm栅格标准样板的测量与表征,实验表明：电子束直写制备的光栅标准样板均匀性水平1 nm,相对不确定度低于2%,光栅均具有良好的均匀性、准确性以及稳定性,验证了研制的光栅标准样板能作为一种理想的实物标准运用于nm几何量量值溯源体系。