浅析地下空间节能关键技术

地下空间的开发利用,可在有限的城市土地资源上拓展生存空间,增加城市空间容量.地下空间建筑独特的环境特点及热工性能决定了地下建筑主要能耗为空调系统、照明系统、机械通风以及电梯的电能耗.因此,节能关键技术包括地源热泵、光导照明、LED节能照明,以及自然通风等高效节能系统.随着我国许多大城市进入大规模开发规划地下空间的历史时期,地下空间领域节能关键技术的应用将具有重要的战略意义及巨大的社会、经济价值.     

模拟成像与数字成像的主要过程比较

模拟成像技术主要应用于模拟式复印机，数字成像技术主要应用于目前使用最为广泛的激光打印机、数字复印机。它们的成像主要过程均包括充电、曝光、显影、定影等。充电就是对光导鼓进行光敏化。光导鼓在暗处被施以一定电压带上静电荷，被光照射部分变成导体，所带静电荷将由光线的强弱决定减少或消失。曝光过程实际是用带有图像信息的光对鼓照相，使已充电光敏化的光导鼓表面生成与原稿图像相对应的电位高低变化的静电潜像。显影即墨粉被传递到光导鼓的静电潜像上，     

办公设备行业近期标准发布情况介绍

由全国国家发展与改革委员会复印机械标准化技术委员会(SAC/TC147，简称全国复标委)归口的《激光打印机负电性有机光导鼓技术条件》等四项行业标准日前已正式批准，2004年3月12日发布，2004年8月1日起实施。     

光纤束密封工艺研究

介绍了光纤密封工艺,分析了密封光纤束的原理,探讨了光纤束中光纤单丝间、光纤与耦合件间以及耦合件与护套管间的三方面密封工艺方法,通过对三方面密封处理,解决了光纤束的密封问题,由此可见＂采用光纤端面加光导柱,辅以机械密封方法＂是一种相对成熟的密封工艺,并提出了一种光纤束密封性能检测的简易装置。     

大功率半导体激光器脉冲驱动电源研制

研制了一种大电流、窄脉宽的半导体激光器驱动电源,该驱动电源激励半导体激光器用于驱动砷化镓光导开关。驱动电路采用高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为开关,为半导体激光器提供一个前沿快(1.2 ns)、脉宽窄(15 ns)、峰值电流大(72 A)的脉冲驱动电流,并可根据需要调节电路中的参数,获得不同前沿、不同脉宽、不同峰值的电流脉冲。半导体激光器输出的激光脉冲功率可达75 W,上升前沿约3 ns,抖动均方根小于200 ps,可稳定触发工作在非线性模式下的砷化镓光导开关。     

车灯光导中锯齿宽度和深度对点亮外观的影响

锯齿的设计是光导设计中的关键技术,其位置和尺寸对配光有很大的影响,同时也会影响到光导的点亮外观。光导的均匀性是外观评价的重要方面,介绍了一种使光导发光面不产生暗区的最小锯齿宽度的计算方法,并通过仿真软件进行建模模拟,模拟结果与计算结果吻合。     

超快大功率SiC光导开关的研究

选用钒掺杂浓度为0.2at％的高质量6H-SiC晶体, 电阻率为7.0×10⁸Ω·cm, 研制出超快大功率SiC光导开关. 在脉冲宽度为20ns的光源激发下, 分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性. 结果表明: 1mm电极间隙的SiC开关器件的性能优越, 耐偏压高, 光导电脉冲的上升时间快(6.8ns), 脉宽<20ns, 稳定性好. 负载为40Ω的电阻上输出线性电脉冲电压随开关的偏置电压和光强增大而增大, 在2.5kV的偏置电压, 最大瞬时电流约为57.5A, 瞬时功率高达132kW.     

基于静态场的光导开关Blumlein线传输特性的FDTD分析研究

该文利用电磁场时域有限差分研究了恒定电压下光导开关Blumlein线电脉冲的传输特性。首先用达朗伯公式行波法分析了Blunlein线的工作原理,针对具体工作情况的要求,分别提出了电磁场时域有限差分下处理边界条件的方法和源的预置方法,针对光导开关提出了表面阻抗模型。计算给出了处于恒定电压下的光导开关Blumlein电脉冲产生和传输的过程,给出了电脉冲的时间分布。实验结果证明了所进行的电磁场时域有限差分分析结果是正确的。最后进一步分析了Blumlein线输出电压与结构的关系。     

在蓝宝石衬底上外延生长光导探测器用的HgCdTe

用等温汽相外延(ISOVPE)和液相外延(LPE)组合,在用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)的CdTe/蓝宝石衬底上生长HgCdTe。用ISOVPE把CdTe层转变为Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te。ISOVPE和LPE过程连续在闭管内进行,应用转变工艺,降低CdTe和HgCdTe间的晶格失配、并减少CdTe衬底和外延层间互扩散产生的组分梯度。晶片在Hg气氛中退火后制做成光导探测器性能验证了晶片质量,结果可与在CdZnTe上外延生长HgCdTe制做的一般探测器性能相比。     

180元长波碲镉汞线列光导探测器研制

本文报道了长波180元碲镉汞线列光导探测器的初步研制结果,较为详细地介绍了各步探测器制造工艺以及探测器性能的测试结果。最终得到的拼接和单片180元线列器件,其平均峰值探测率D_(xp)~*达2.0×10~(10)cmHz~(1/2)W~(-1),电串音小于5％,功耗小于150mW。