用光导开关产生高压、高功率超快电脉冲

基于半导体材料的光导效应,设计并制做光导开关,在偏压为4000V,负载电阻Z0为50Ω时,用脉宽为～12ns的激光脉冲辐照光导开关,得到脉宽为～16ns,峰值电压为～1.8kV,峰值功率为～65kW的电脉冲,本文并对光导开关的技术关键进行了分析。     

双层CdS／CdSe光电导薄膜的制作和光电特性

提出并采用真空热蒸发技术制备了一种新型的多元掺杂（Ｃｌ，Ｃｕ）敏化的ＣｄＳ／ＣｄＳｅ双层光电导薄膜。研究了这种光电导薄膜的暗电导和亮电导、响应时间，以及光谱响应等主要光电特性与初始材料比例、掺杂浓度和Ｃｌ／Ｃｕ比例等工艺参数的关系。实验表明：适宜的掺杂浓度和Ｃｌ／Ｃｕ比例可使暗电导降低而亮暗电导比提高，响应时间比未掺杂薄膜的显著降低；而光谱响应特性则可以通过控制ＣｄＳ／ＣｄＳｅ之比加以优化。     

电摄影有机光导材料聚磷氮烯

本文介绍了新的有机光导材料聚磷氮烯(POPs),对于它与电子受体粘合在一起所形成的光导膜,用作电照像感受体的性能作了评价,并就这种材料在复印技术上的潜在应用价值进行了展望.     

膜蒸馏原理在酞菁化合物结晶过程中的应用

介绍了运用膜蒸馏的基本原理来实现酞菁氧钛（ＴｉＯＰｃ）晶型转变的方法，用该方法制得的χ２型酞菁氧钛具有比其它晶型ＴｉＯＰｃ更为优越的光导性能     

氧化铟锡与掺Fe半绝缘GaN的接触特性

氧化铟锡(ITO)透明电极能够有效提高GaN光导半导体开关的光吸收效率和电场均匀性,但如何在透明电极ITO与半绝缘GaN之间实现良好的欧姆接触是一个难题.通过在ITO和半绝缘GaN之间插入与GaN功函数相近的Ti薄层,并利用快速热退火过程加速Ti与GaN之间的反应.研究发现Ti薄层的厚度和退火温度对欧姆接触有重要影响.在Ti薄层厚度为5 nm时,随着退火温度的升高,ITO/Ti/GaN之间的接触逐渐转变为欧姆接触,且接触电阻率随之减小;但当退火温度超过700℃时,欧姆接触变差,这与ITO中的In、Sn和O元素向界面扩散有关;适当提高Ti薄层的厚度可以有效改善ITO/Ti/GaN欧姆电极的热稳定性,但过厚的Ti薄层会对GaN基光电器件的透过率产生影响.     

光导型红外传感器低噪声前置放大器的设计

为了提取微弱红外光电信号,通过理论计算和试验验证的方法,得到了偏置电路的最佳匹配,并利用噪声的随机特性,采用多路并联相加的电路形式,在采用最佳偏置匹配的基础上,进一步将信噪比提高,从而设计出能满足微弱红外光电信号提取的光导型红外传感器低噪声前置放大器。     

光导型碲镉汞探测器的氢化研究

为了提高碲镉汞红外探测器的性能,对ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理研究,发现处理效果与氢等离子体密度和ZnS钝化层的厚度密切相关。对于ZnS层厚度固定的器件,通过改变氢等离子体密度发现低等离子体密度条件氢化处理更有利于提高器件的性能,表现在处理后器件响应信号提高且噪声下降,从光谱响应上表现为器件短波方向的响应抬高;对于同样的氢化处理条件,通过改变ZnS钝化层的厚度,发现具有较大厚度ZnS层的器件的氢化效果更好。SIMS测试发现氢化过程中氢离子可以穿过ZnS层到达ZnS与碲镉汞的界面处,分析认为氢离子对界面态起到了钝化作用,降低了界面态密度,提高了器件的性能。     

反坦克导弹精确制导红外成像导引技术展望

本文综述了国内外反坦克精确制导技术的发展概况,重点阐述了当代最重要的一种精确导引系统——红外成像导引头,介绍了这类红外导引头技术的发展前景、关键技术,并且对发展我国反坦克导弹导引技术提出了建议。     

偶氮类有机光导体的发展趋势

综述了偶氮类有机光导体的发展历程、结构及性能,讨论了其性能的主要因素,归纳了偶氮类有机光导材料的主要类型,举例说明了合成过程,对偶氮光导体的发展前景作出了展望。有37篇参考文献。     

一种新的空穴传输材料三苯胺双醛二苯腙的合成及其光导特性

本文合成了静电复印用电荷传输材料三苯胺双醛二苯腙，并用元素分析和氢谱对其进行了表征。用此化合物做空穴传输材料、Y－TiOPc做电荷产生材料制备了双层结构光导器件，其E1／2为0．81ux.s。