基于固态硬盘的闪存阵列并行结构设计

闪速存储器是固态硬盘的主要存储介质,但是其较低的写入速度无法满足系统对数据的高速传输要求,从而影响到固态硬盘的整体性能.为提高闪存阵列的写入带宽,在分析Flash器件的工作原理、流水线技术及并行总线技术的基础上,提出了一种可行的并行结构,估算并验证了采用此方案后的带宽提高情况.     

E~2PROM擦/写特性的PCM研究

使用薄隧道氧化层浮栅器件逐渐成为在电可擦除稳定的存储器中一个标准[1]，根据E~2PROM工艺特点，本文着重分析了E／W后学元开启电压和E／W时间。E／W电压、隧道扎面积的关系。给出了开发和研究E~2ROM器件模型的工艺评价用PCM及常规用PCM的测试结果，为E~2PROM的工艺开发和实现提供有力的帮助。根据浮栅E~2PROM的物理模型[2]，建立了存储单元的阈值电压模型，利用该模型研究了存储单元E／W后同值电压与物理尺寸、E／W电压、E／W时间的关系。通过对这一关系更深入的认识，一方面在单元设计上有利于了解不同类型的E~2PROM，为减小器件尺寸以及今后开发业微米的设计规则作准备；另一方面，在工艺上建立一个准确的单元添件参数模型，得到各层次各关键工序的工艺评价参数，为制造高性能高可靠性的存储单元打下坚实基础。     

LCD拖尾的研究

分析了LCD一直存在的"拖尾"现象,指出LCD"拖尾"的另一个原因是LCD写入并显示的特性.提出了一种解决LCD"拖尾"的新方案--写入期和显示期分离的驱动方案.为了达到很好的写入与显示的分离,应该使显示时间远远大于写入时间,在一帧开始的很短时间内快速扫描各行电极写入数据,写入完成后,就是整帧画面的维持显示期.作为工程应用可使显示期与写入期之比为2n-1,n为大于2小于9的整数.     

一种新颖的EPROM编程法

文章介绍一种新颖的ＥＰＲＯＭ编程法──智能位写入编程法，它能自动识别ＥＰＲＯＭ芯片的类型，并自动施加编程电压Ｖｐｐ；不仅避免了以往编程法造成的编程失败现象；而且编程速度快、可靠性高；特别适合于单片机的开发和实验。／／关键词     

新型纸状显示器

纸状显示器是2l世纪显示技术的主要发展方向。本文阐述了电化学反应、光写入型、电泳式微粒型、微胶囊电泳式、喷墨发光聚合物等各种纸状显示器的显示机理及其新型材料的开发状况。     

NAND flash图像记录系统坏块管理关键技术

提出了NAND flash型高速大容量图像记录系统的高效坏块管理方案。针对坏块表的快速检索和可靠存储问题,提出了基于位索引的坏块信息快速检索结构;为解决坏块快速匹配问题,提出了基于滑动窗口的无效块预匹配机制;对于突发坏块造成写入速度下降问题,提出了滞后回写机制。系统架构全部用硬件方式在FPGA中实现,实验结果表明:检索8个物理块坏块信息仅耗时2个时钟周期;预匹配和正确物理地址生成耗时都为0个时钟周期;突发坏块发生时系统写入速度不受影响,滞后写回在最差情况下耗时也仅22.280 36 ms;系统持续写入速度最大为848.65 MB/s,读取速度为1 265.5 MB/s,擦除速度为9 120.245 MB/s,系统存储容量为160 GB,坏块管理保留容量为8 GB,纠错能力为1 bit/512 B。     

光纤光栅的写入技术及其在光通信中的应用

本文对近年来发展起来的几种主要的光纤光栅紫外光写入技术和Ｃｈｉｒｐ光栅生成技术进行了全面的阐述,并介绍光纤光栅在激光和光通信中的一些应用。     

数据分级，何为我所需？

机房内关键存储的最基表要求是保证数据的绝对完整,除此之外,很多数据存储工程师还注重速度和成本,他们更希望存储设备拥有非常快捷的读出、写入速度,还希望这些设备能够通过低廉的价格部署。这两者本是一对矛盾体,如何权衡需要数据存储工程师综合考量与评定。     

拒绝重装,让QQ和迅雷重新“绿”起来

为了方便系统重装后使用,很多朋友都把QQ和迅雷安装到非系统分区。不过,近来一些网友发现,自从QQ升级到2009SP3,迅雷升级到5.9.6.1018新版后,这两款原来准绿色的软件在系统重装无法运行。难道一定要重装它们才能使用?其实只要动动手就可以让它们重新变绿。