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采用复合靶及离子微波控制共溅射方法制备了银(Ag)硅(Si)复合物薄膜。透射电观察表明,银晶体小颗粒(1-3nm)镶嵌于非晶基体中。近紫外、可见光及近红外吸收光谱分析表明,当银含量低于50at%时,薄膜显示典型非晶半导体光谱特征;当银含量高于50at%时,在近紫外及可见波段显示两个吸收峰,讨论了其可能的吸收机制 相似文献
122.
123.
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。 相似文献
124.
史庆铎 《火花塞与特种陶瓷》1996,(1):35-40
叙述了半导体陶瓷电子元件的配方设计、半导方法、半导机理和技术要求,以及影响半导体陶瓷电阻值的各种因素及其有效控制措施。 相似文献
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