金刚石/氮化铝发光器件

把金刚石和氮化铝这两种宽带隙半导体集成到同一器件中,将可能获得短波紫外发光二极管和激光二极管。只是集成这两种结构不相似的物质并不容易:氮化铝是纤锌矿结构,而金刚石是立方体组织。德国Munchen科技大学的研究人员采用离子诱导分子束外延法做到了这一点。将掺硅氮化铝薄膜放置在自然生长的掺金刚石基底上,形成双极二极管,可以激发2.7eV～4.8eV(442nm～250nm)范围的激光。为了将该器件改进为发光器件,研究人员将蒸发态钛铝与样品两端电阻接触。     

利用SOA自发辐射和非对称马赫-泽德尔干涉仪实现全光波长变换的研究

对利用SOA中ASE输出频谱,实现全光波长变换的技术进行了理论与实验的研究.在这种波长变换技术中,信号光涮制SOA中的ASE强度和相位,通过光滤波器对ASE输出光谱进行频谱分割,以产生所需要的变换波长信号,并结合一个非对称马赫一泽德尔干涉仪实现信号码型的再反转.根据ASE输出光谱的波长依存性,建立从理论上推导出同相注入模式下的ASE输出功率以及其相位变化的数学表达式.通过实验,测定了波长变换系统的信号误码率、眼图以及时间波形等,并对这些实验结果进行了分析.     

用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径

介绍了10Gbit／s速率的甚短距离光传输系统VSR(Very Short Reach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成(OEIC)接收机的可能性和实现方法。     

汉芯，IC时代的弄潮儿

2003年2月，上海交大汉芯科技成功研制国内首个完全具有自主知识产权的“汉芯一号”高性能、低功耗DSP芯片。“汉芯一号”使用国际先进的0．18微米半导体工艺，具有16位运算处理内核。经权威专家鉴定：属于同内首创，达到了国际先进水平，是中国芯片发展史上重要的里程碑。     

连结中外的桥梁——深圳市正和兴电子有限公司

8月中旬,在深圳举办的“环宇企业第四届半导体芯片技术研讨会”上,汇聚了许多来自我国芯片应用研究最前沿的科研生产单位的负责和技术人员,涉及航天、航空、电子、兵器、船舶等重要领域。一个由企业主办的研讨会,何以能持续8年,汇聚众多前沿的科研生产单位,越办越好?带着这样的疑问,记者采访了会议主办单位——深圳市正和兴电子有限公司的总经理张亚先生,请他为我介绍了公司和研讨会的背景情况。深圳市正和兴电子有限公司成立于1992年,总部为中国香港环宇企业。经过10 余年的发展,已拥有了1个贸易公司、1个开发公司、华东和北京2个办事处,共…     

SCB火工品的研究与发展

文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。