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Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率 总被引:1,自引:0,他引:1
《电子设计工程》2015,(2):159
Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的 相似文献
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2015年在中国移动4G一家独大的基础上,即将迎来多方竞争的局面,如何促进4G竞争趋于理性化、可持续化,也将成为明年4G发展所面临的难题。《通信世界》2014年国内4G发展以中国移动为首,取得的成绩令业界惊叹,无论是用户数还是基站数都远远突破了既定目标,也进一步刺激了其他两家运营商的4G发展。您认为有哪些原因促成了这样的局面?诸震雷:中国移动的4G建设能够在这么短的时间取得如此成绩,主要有四方面原因。一是与国家政策层面的支持和引导密不可分,并在TD-LTE频谱资源方面给予支持。其次,运营商 相似文献