插入式双作用抽油泵阀副的改进

文章对插入式双作用抽油泵的结构和原理作了简短的介绍     

高频溅射碳化硅薄的退火效应

本采用高频溅射方法，在抛光Ｓｉ（１１１）衬底上制备出碳化硅薄膜，了薄膜的高温真空退火勺，实验表明，退火后的薄膜具有较淡理想的结晶取向和发光性质。     

浅谈φ600XF－ⅢJ型氨合成塔内件的冷管效应及径向温差的控制

本文以本厂和几个使用φ６００ＸＦ－ⅢＪ型内件的小氮肥厂的实际生产情况为依据，分析了ⅢＪ型内件存在“冷管效应”及产生同平面温差的机理和操作控制方法。     

ADI推出iCMOS制造工艺

日前一种全新的0.6μm iCMOS工艺为工业领域的IC电路设计提供了又一可选方案，它将高压半导体工艺与亚微米CMOS、互补双极性工艺结合，可以承受30V电压，可选的漏极扩展允许工作电压为50V。iCMOS工艺的主要特点是能使单元电路与底层之间或单元电路与单元电路之间完全隔离。这意味着通过对同一芯片施加多种电源电压，一颗单芯片能实现5V电压CMOS电路和16V、24V或30V高电压的CMOS电路混合和匹配。