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991.
基于金属纳米颗粒的光散射理论,利用时域有限差分法计算了Ag纳米球阵列不同结构参数下的散射光谱、吸收光谱及散射效率,分析了Ag纳米球阵列在共振波长下的极化电场和极化电荷分布情况,讨论了Ag纳米球阵列的局域表面等离子体(LSP)对GaN基LED发光效率增加的机理。结果表明,随着间距的减小,Ag纳米球阵列LSP的散射峰逐渐呈双模分布,且位于长波段的散射峰蓝移;随着Ag纳米球直径的增大,LSP的共振波长红移且散射效率增大。当LSP的共振波长与LED辐射光波长相匹配时,Ag纳米球阵列的LSP与LED辐射光发生耦合作用,在一定条件下,部分耦合的能量辐射到自由空间,增大LED的内量子效率。  相似文献   
992.
UV-C和LED红光复合处理对西兰花贮藏品质的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
为探究短波紫外线(ultraviolet-C,UV-C)和发光二极管(light emitting diode,LED)红光复合处理对西兰花贮藏品质的影响,本研究采用3 kJ/m2的UV-C辐照和50μmol/(m2·s)的LED红光辐照单独和复合处理采后西兰花,并将处理后的西兰花贮藏于(20±1)℃条件下,观察其外观品质及生理特性的变化。结果表明:与UV-C、日光(LIGHT)和LED红光分别单独处理西兰花相比,UV-C和LED红光复合处理可有效保持西兰花感官品质,抑制质量损失率和丙二醛含量的增加,延缓叶绿素和VC含量下降,提高过氧化物酶、过氧化氢酶、抗坏血酸过氧化物酶活力。综上,UV-C和LED红光复合处理可以有效保持西兰花品质,延长货架期。  相似文献   
993.
垂直电极结构GaN基发光二极管的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用激光剥离技术(LLO)和晶片键合技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响GaN量子阱的结构和光学性质,GaN和InGaN/GaN多量子阱的发光峰都呈现红移,这都来源于去除蓝宝石后薄膜中应力的释放.采用金属In和Pd的合金化键合过程解决了GaN材料与Si衬底的结合问题,结合逐个芯片剥离和键合的方式实现了GaN大面积均匀转移.成功研制了激光剥离垂直电极结构的GaN基LED,L-I测试特性表明器件的热饱和电流和出光功率都有很大的提高.  相似文献   
994.
发光二极管(Light Emitting Diode,LED),是一种可以直接把电能转化为光能的固态半导体器件。通常LED被分为2类,即显示用LED和照明用LED。由于LED光源在耗电量、发光效率、使用寿命、可靠性、安全性以及环保等多方面具有巨大优点,LED产品现已快速渗透到照明以及显示产业相关的多个领域。  相似文献   
995.
有机发光显示器件是目前平板显示中的热点,所用ITO玻璃比液晶显示所用的有更高更严的要求。该文探讨了OLED用ITO玻璃生产的相关工艺,得出使用直流溅射ITO陶瓷靶时,较好的气氛是低氩微氧,功率约200 W左右,溅射时基板温度约250℃,高温无氧退火。得到方阻20Ω以下、平均透过率大于80%的ITO玻璃。  相似文献   
996.
采用高温固相法合成BaMg2–x(PO4)2:xEu^3+橙红色光致荧光粉。研究了激活剂Eu^3+掺量及电荷补偿剂对其发光性质的影响。X射线衍射显示样品为纯相BaMg2(PO4)2晶体结构。光致光谱表明,该样品适于UV–LED(ultraviolet–light emitting diode)管芯(350~410 nm...  相似文献   
997.
发光二极管(LED)智能隧道灯具作为新型节能产品应用于隧道照明具有先天优势,符合国家节能减排政策的要求。对LED隧道灯具的投入以及运营节能效果综合比较,采用合同能源管理来实施项目可以使业主方和工程方共同分享节能项目实施后取得的经济效益。结合南京模范马路隧道照明项目实施,从照明应用效果和运营能源消耗两方面将LED照明与传统荧光灯照明作一个对比,并提出一个LED隧道照明在合同能源管理应用中的设计方向和设计框架。  相似文献   
998.
999.
具有I^2C总线接口的发光二极管驱动控制器   总被引:1,自引:0,他引:1  
I^2C总线系统是新型单片机系统,主控器与外围器件仅靠两条线进行信息传输。介绍具有I^2C接口的发光二极管(LED)驱动电路SAA1064的引脚排列及其应用电路。  相似文献   
1000.
1 LED照明技术介绍LED是英文Light Emitting Diode(发光二极管)缩写,是一种新型的用微弱的电能就能发光的高效固体光源。LED最重要的组成部分是半导体晶体,其基本结构是一块电致发光的半导体晶体,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,起  相似文献   
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