未来几年信息技术十大重点发展领域

1，集成电路技术 发展重点将集中在SIP（硅IP）重用技术，新一代高性能通用微处理器、SoC芯片系统技术、高密度IC封装技术以及22纳米～45纳米集成电路关键装备等领域。     

硅衬底上共面线的特性及应用

基于理论和实验结果对深亚微米硅集成电路中的共面传输线的特性进行了研究,提出了硅衬底上传输线分布参数的提取方法和减小共面线衰减的一些设计准则.成功地将共面线应用在深亚微米高速集成电路的设计中,并给出了放大器芯片和共面线的测试结果.测试结果表明:在深亚微米CMOS高速集成电路中,用共面线实现电感是一种行之有效的方法.     

一种改进型基-8 FFT算法及其ASIC实现

本文在介绍传统FFT原理和流程的基础上，根据具体应用要求，结合基-4算法的长处，对传统基-8FFT的结构做了改进，并用ASIC实现了一个12位64点复数FFT的计算。布线后门级模型的仿真验证了改进后的结构不但计算正确，而且效率有显著的提高。论文最后简单总结了改进后12位64点复数FFT专用电路目前已经达到的性能指标。     

杭州士兰 脱颖而出

杭州士兰微电子股份有限公司成立于1997年9月，专门从事大规模集成电路的设计、生产与销售。     

提高焊膏印刷质量的工艺改进

焊膏印刷作为SMT工艺的第一步，其质量好坏对SMT工艺有着重要影响。文章通过对焊膏成分、特性的分析，讨论了印刷中各种工艺参数的正确选择；对焊膏印刷中容易出现的质量问题进行了详细分析，指出了产生问题的原因，提出了改进措施。     

自对准双扩散MOS器件的阈值电压分析

文章提出了精确描述自对准双扩散MOS器件阀值电压的解析模型，给出了其沟道中杂质的二维分布和源结耗尽层宽度的计算方法；分析了边缘效应对氧化层电容的影响，借助电荷共事模型，建立了反映非均匀沟道中耗尽层电荷变化及其对开启电压影响的阀值电压模型；同时，借助二维仿真器，计算出自对准双扩散MOS器件的阈值电压，其值与解析值相吻合。     

光刻版图形处理过程的计算机仿真

采用有限状态机模型来仿真集成电路行业中光刻版图形的处理过程,涵括了层次处理、涨缩处理和反转处理。将不同的处理过程定义为相应的状态,将图形处理要求定义为输入条件触发状态转换。该模型已应用于光刻版数据处理的电子设计自动化软件。     

基于超深亚微米IC设计的信号完整性研究

随着工艺尺寸的缩小，IC设计的两大趋势是设计更复杂和对产品的设计周期要求更苛刻。在超深压微米IC设计中，设计的复杂性会导致信号完整性（SI)问题更加突出，从而会影响整个产品的设计周期。本文提出了SI概念以及影响它的因素，并针对其两个主要影响因素，串扰(crosstalk)和IR压降进行了分析讨论，并提出了解决的方案。     

我国信息产业“魂”系知识产权

今天，电子信息（IT）产业已涵盖通信与网络、计算机和软件、集成电路及其元器件、消费类音视频及显示，包括现代服务业等完整的产业体系。在当今世界rr和IC产业价值链中，由于各国基础条件、产业环境不同，特别是核心知识产权掌控力的差异，产业发展呈现了起点不一的阶段和地位。