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102.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
103.
荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功的计算 总被引:1,自引:1,他引:0
阴极的逸出功是表征阴极发射能力的物理量,求定荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功时,因其零场发射电流密度难于准确取值,温度无法直接测量,显得困难,须予解决,为此提出了一种计算阴极有产逸出功的办法,对某显示管的发射欠佳和“低温高效”的两种氧化物阴极的有效逸出功进行计算,有效逸出功率是靠测量相关物理量再同计算得出,精度不很高,文中所用办法也不例外,但所得结果能反映阴极发射能力,所需仪器少,是实用方法。 相似文献
104.
本文侧重讨论了院校新型CATV550MHz邻频传输系统的干线设计以及选用MOTOROLA MHW6342T器件来改善了干线放大器性能。 相似文献
105.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
106.
本文较为详细地介绍了Ⅱ-Ⅵ族新型化合物半导体材料发光复合机制以及新型发光器件的结构和特性及在近代科学中的应用。 相似文献
107.
数据库结构的好坏对数据库应用系统的效率有着重要的影响。系统初始运行时,数据库可能比较理想,但在运行一段时间后,由于插入、删除、修改操作,数据库的效率可能降低,需要重构数据库。本文中提出用分配空间占用率(Ru),占用空间平均利用率(Rt),占用空间各块利用率(Rb)和最佳利用率(R)来判断一个ORACLB数据库空间存储效率,以确定重构时机。同时介绍一种基于ORACLEDBMS下实测上述度量的方法。 相似文献
108.
本文描述了可复用软件成分的基本特征和结构,给出了软件复用过程流程,论述了可复用成分的开发方法,讨论了可复用成分之间的关系及可复用软件成分库的组织及其基本结构,给出了成分库的检索方法。 相似文献
109.
联机事务处理(OLTP)以其大用户量、对性能的高要求而对当代的关系数据库技术提出了挑战,在大用户量的情况下如何保持快速的响应时间成为数据库厂家所必须解决的问题。Informix数据库公司在Online 6.0中提出了新型的动态可伸缩结构,支持多线索、可伸缩性及最佳的调谐,大大提高了对联机事务处理应用的支持,使Informix继续保持开放系统技术的领先地位。 传统的关系数据库进程结构是所谓的双进程结构。在这种结构中,一个客户进程(应用进程)连接到一个专为这个客户进程服务的数据库服务器进程,客户进程的所有数据库服务请求都由这个服务进程来服务,而该服务进程也只为这个客户进程服务。这种结构当用户较少时可以工作得很好,甚至在SMP 相似文献
110.