制造工艺中不可忽视的课题：湿度敏感器件（MSD）

从20世纪80年代早期——表面贴装技术(SMT)的出现，人们便开始围绕组装工艺中塑料封装IC器件的湿度敏感性这一严重问题展开了讨论。湿气会扩散到电子封装里面去，这是一个复杂的现象，在制造过程中，受潮的器件不能直接进行回流焊接。许多PCB组装人员经常会误解湿度敏感现象的本质及其工艺指导原则。在生产现场正确地遵循工艺指导原则，是对生产工艺的一个巨大挑战。10年前，我们在ESD(Electrostatic Sensirive Devices静电敏感器件)面前不知所措，而今我们又在MSD面前似乎显得束手无策。随着MSD器件在PCB组装厂中用量的慢慢增长，为了提高电子产品的可靠性，无疑又一次向我们提出了新的挑战。     

金刚石/氮化铝发光器件

把金刚石和氮化铝这两种宽带隙半导体集成到同一器件中,将可能获得短波紫外发光二极管和激光二极管。只是集成这两种结构不相似的物质并不容易:氮化铝是纤锌矿结构,而金刚石是立方体组织。德国Munchen科技大学的研究人员采用离子诱导分子束外延法做到了这一点。将掺硅氮化铝薄膜放置在自然生长的掺金刚石基底上,形成双极二极管,可以激发2.7eV～4.8eV(442nm～250nm)范围的激光。为了将该器件改进为发光器件,研究人员将蒸发态钛铝与样品两端电阻接触。     

深亚微米PD和FD SOI MOS器件热载流子损伤的研究

研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点，提出了相应的物理机制，以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移，研究了应力Vg对HCE退化的影响，并分别预测了这两种器件的寿命，提出了10年寿命的0．3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。     

东明县地下水资源开发利用中存在的问题及对策

1概况东明县位于鲁西南平原,是黄河入鲁第一县,总面积1369.84km2,人口75万。现有耕地面积69330hm2,宜井区面积57640hm2,非宜井区面积17490hm2。境内地下水具有较好的储存与补给条件,蕴藏量丰富,全县地下水资源量为3.08亿m3,可开采量为2.31亿m3,是当地人民生活和工业用水的主要水源,也是农业用水的重要水源之一。2地下水开发利用现状东明县是一个欠发达的农业县,农业用水占全县总用水量的80%,境内有三个引黄灌区,控制灌溉面积5506hm2,农业灌溉主要依赖黄河水,这在一定程度上限制了地下水的开发与利用。据统计,全县现有机井7800眼,其中1/3为病…     

中国在IEC国际标准化活动中较活跃的领域IEC/TC110平板显示

1关于IEC／TC110 IEC／TC110平板显示技术委员会是由IEC／TC47／SC47C平板显示器件（FPD）分技术委员会于2002年IEC年会上提出，并于2003年7月由IEC中央办公室确定从IEC／TC47中分离出来新成立的技术委员会。     

高线性模拟光耦HCNR201原理及其在检测电路中的应用

HCNR201是HP公司生产的高线性度模拟光电耦合器 ,它具有很高的线性度和灵敏度 ,可在检测系统中精确地传送电压信号。文中介绍了高线性度模拟光耦HCNR201的内部结构和工作原理 ,给出了用HCNR201和运算放大器实现检测电压的隔离传输电路。