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31.
针对目前电磁环境测试系统中灵敏度分析较粗略等问题,从信号和噪声两个方面,对电磁环境测试系统灵敏度计算方法进行了介绍和实例分析;针对涉及噪声的电磁环境测量,从低噪放等有源器件和射频线缆等无源器件,全面分析了其对噪声测量灵敏度的影响,给出了噪声测量灵敏度的理论计算过程,分析了噪声测量灵敏度影响因素并进行了试验验证。试验结果表明,低噪放之后的无源损耗会降低系统输出的噪声功率谱密度,进而影响噪声测量灵敏度。  相似文献   
32.
主要讨论了系统噪声与系统极限灵敏度的关系。采用场辐射测量方法,集成一套以衰减校准装置VM-4B为主的高灵敏度测量接收系统,并从基本噪声系数数学模型出发,对该系统的极限灵敏度进行了初步分析,提出了几个应该注意的问题。  相似文献   
33.
噪声系数是宽带射频光子链路的重要参数,影响射频信号传输和处理系统的信噪比.提出了一种噪声对消射频光子链路,采用平衡光探测器对直流光和调制光转换的光电流相减处理,得到链路的噪声系数改善.从光信号调制、探测及噪声功率变化特性出发,建立了噪声对消射频光子链路的理论模型,并通过理论分析研究了噪声系数与激光功率、相对强度噪声、光...  相似文献   
34.
文章主要介绍应用于集群接收机系统的350MHz~470MHz低噪声放大器,采用0.6μm CMOS工艺。探讨了优化低噪声放大器的噪声系数、增益与线性度的设计方法,同时对宽带输入输出匹配进行了分析。这种宽带低噪声放大器的工作带宽350MHz~470MHz,噪声系数小于3dB,增益为24dB,增益平坦度为±1dB,输入1dB压缩点大于-15dBm。  相似文献   
35.
针对国内北斗行业的发展,介绍了一种适用于北斗B3频段的低噪声放大器的设计原理和设计方法,并给出了设计结果。为了达到更好的增益,采用了3级级联的方式。最终设计出的低噪声放大器在B3频段内的增益为(40±0.5)d B,输入驻波系数小于1.5,输出驻波系数小于1.2,噪声系数小于1 d B,在全频段内无条件稳定。  相似文献   
36.
安徽电力通信有限公司现使用的法国SAT数字微波设备,工作频率在1.7~1.9GHz,与现有移动通信使用的工作频率相冲突,需将SAT数字微波设备的工作频率移至8.2~8.5GHz标准频段;文章针对SAT数字微波设备改频设备,从总体设计、设备组成、系统技术指标及各模块技术实现方法等方面进行了详细的论述;该设备通用性强,对于电力系统具有较好的推广价值。  相似文献   
37.
赵显超  董卫华 《半导体技术》2006,31(5):374-376,381
介绍了用微波工作室软件对C波段低噪声放大器的设计及调试.设计制作的C波段低噪声场效应管放大器,采用全微带匹配网络,利用NEC公司生产的场效应管N32584C,两级级联,用微波工作室软件进行设计、仿真和优化,实现在4.4~5.1GHz范围内增益30dB左右,噪声系数小于0.8dB.用Prote199SE画印制板,该放大器制作在聚四氟乙烯基板上.  相似文献   
38.
本文应用噪声电路理论求出了集成运放前置放大器的噪声系数计算公式,并指出了降低放大器噪声的电路参数选取原则。  相似文献   
39.
采用0.5μmpHEMT工艺研制了Gilbert式单片混频器,设计采用了电流注入技术及跨导级源端负反馈技术,在C波段测试表明:变频增益大于1.5dB,单边带噪声系数典型值为12.5dB,变频带宽约为DC~1GHz,所需本振功率实测值为1.6dBm。  相似文献   
40.
吕志强  来逢昌  叶以正 《半导体技术》2007,32(8):669-672,713
基于深亚微米MOSFET的短沟道效应(迁移率退化、热载流子效应、体电荷效应、沟道长度调制效应等),提出了一种高频沟道噪声分析模型.该分析模型不仅具有较高的精确性,而且只包括MOSFET的工艺参数和电学参数,不含有微积分和拟合参数,较大地提高了MOSFET高频噪声模型的易用性.根据MOSFET的高频等效电路,得出了MOSFET的噪声系数模型.实验结果证明,提出的深亚微米MOSFET高频噪声模型的仿真结果与测试结果的平均误差不到0.4 dB,并与其他高频沟道噪声分析模型进行了比较.  相似文献   
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