全文获取类型
收费全文 | 585篇 |
免费 | 46篇 |
国内免费 | 32篇 |
专业分类
电工技术 | 38篇 |
综合类 | 43篇 |
机械仪表 | 5篇 |
建筑科学 | 2篇 |
矿业工程 | 4篇 |
轻工业 | 2篇 |
武器工业 | 5篇 |
无线电 | 469篇 |
一般工业技术 | 30篇 |
冶金工业 | 3篇 |
原子能技术 | 2篇 |
自动化技术 | 60篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 7篇 |
2022年 | 10篇 |
2021年 | 11篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 13篇 |
2018年 | 6篇 |
2017年 | 13篇 |
2016年 | 12篇 |
2015年 | 18篇 |
2014年 | 38篇 |
2013年 | 36篇 |
2012年 | 55篇 |
2011年 | 38篇 |
2010年 | 42篇 |
2009年 | 46篇 |
2008年 | 60篇 |
2007年 | 42篇 |
2006年 | 33篇 |
2005年 | 31篇 |
2004年 | 40篇 |
2003年 | 28篇 |
2002年 | 11篇 |
2001年 | 16篇 |
2000年 | 7篇 |
1999年 | 8篇 |
1998年 | 6篇 |
1997年 | 7篇 |
1996年 | 5篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 5篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 2篇 |
1989年 | 5篇 |
排序方式: 共有663条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
32.
33.
34.
35.
36.
37.
介绍了用微波工作室软件对C波段低噪声放大器的设计及调试.设计制作的C波段低噪声场效应管放大器,采用全微带匹配网络,利用NEC公司生产的场效应管N32584C,两级级联,用微波工作室软件进行设计、仿真和优化,实现在4.4~5.1GHz范围内增益30dB左右,噪声系数小于0.8dB.用Prote199SE画印制板,该放大器制作在聚四氟乙烯基板上. 相似文献
38.
本文应用噪声电路理论求出了集成运放前置放大器的噪声系数计算公式,并指出了降低放大器噪声的电路参数选取原则。 相似文献
39.
采用0.5μmpHEMT工艺研制了Gilbert式单片混频器,设计采用了电流注入技术及跨导级源端负反馈技术,在C波段测试表明:变频增益大于1.5dB,单边带噪声系数典型值为12.5dB,变频带宽约为DC~1GHz,所需本振功率实测值为1.6dBm。 相似文献
40.
基于深亚微米MOSFET的短沟道效应(迁移率退化、热载流子效应、体电荷效应、沟道长度调制效应等),提出了一种高频沟道噪声分析模型.该分析模型不仅具有较高的精确性,而且只包括MOSFET的工艺参数和电学参数,不含有微积分和拟合参数,较大地提高了MOSFET高频噪声模型的易用性.根据MOSFET的高频等效电路,得出了MOSFET的噪声系数模型.实验结果证明,提出的深亚微米MOSFET高频噪声模型的仿真结果与测试结果的平均误差不到0.4 dB,并与其他高频沟道噪声分析模型进行了比较. 相似文献