Study on Hydrocracking of VGO Derived from Kazakhstan-Russian Mixed Crude

1 Introduction With the successful completion of the construction of the China-Kazakhstan oil pipeline the refinery at Dushanzi Pet- rochemical Company will process the Kazakhstan-Russian mixed crude at full steam starting 2007. The high sulfur, nitro- gen and heavy metals contents in the Kazakhstan-Russian mixed crude would have a serious impact on the secondary processing units of the Dushanzi refinery, in particular on the distillate hydrocracking unit, which mainly operates on vacuum g…     

横泉水库大坝土料碾压试验

在取得土料场土料物理力学性质参数的情况下，遵循碾压试验基本原理、方法及参数组合，进行了现场碾压试验，通过试验成果的分析，得出了大坝碾压试验结论，为大坝土方填筑提供了技术依据。     

合理沉没度及泵况控制图的确定

尽管螺杆泵的泵效较高，我们认为螺杆泵的泵效一般控制在50％～90％较为合理，泵效太高影响油井的潜力，泵效太低则螺杆泵的工作性能优势得不到最好的发挥。因此，用50％～90％作为计算沉没度范围的界线值，与泵的结构参数、加工质量等有关的常数PO选泵深1000m时的模拟参量值为7．52.由此从理论上分析，螺杆泵的沉没度应控制在200～500m之间为宜。     

储层泥浆侵入深度预测方法研究

泥浆侵入半径的确定尚缺乏严格的验证标准.以油水两相渗流理论和离子扩散方程为基础,结合储集层特点,研究了不同储层参数下泥浆滤液对地层的侵入特性.数值模拟侵入时间选取10 d和20 d.数值模拟结果表明,侵入半径在渗透率不变的情况下随孔隙度的增大而减小,在孔隙度不变的情况下随渗透率的增大而增大;当渗透率和孔隙度都发生变化时,泥浆侵入半径一般随孔隙度的增加呈幂函数增加.依据这种关系对测井资料约束处理,得到的泥浆侵入半径较客观地反映了地层的真实情况.     

CO2吞吐工艺操作参数的整体优化设计

针对ZY油田原油CO2吞吐的工艺过程，建立了CO2吞吐数值模拟模型。应用数值模拟方法对CO2吞吐进行了实例分析，首先对该井的CO2吞吐参数进行了单因素敏感性分析，分析了CO2周期注入量、注入速度、焖井时间、采液速度等因素对CO2吞吐效果的影响。在此基础上进一步运用正交试验方法对CO2吞吐参数进行了优化，通过计算表明用正交试验优选法得到的优化方案比单因素敏感性分析所得的优化结果更为合理。     

水力射孔对套管强度的影响研究

水力射孔技术是一种新型的完井方式，深穿透水力射孔技术辅助定向水力压裂可以实现油气层改造和油气井增产。但是，水力射孔套管会在孔眼处造成应力集中，使得局部应力过大而削弱了套管和水泥环的强度，可能会影响套管的使用寿命。因此，文章利用有限元软件建立了射孔套管的三维有限元模型，分析了水力射孔后套管管体的应力分布，重点研究了水力射孔参数-孔密、孔径、孔深、射孔方位角等对套管强度的影响规律。分析结果表明，沿着最大水平地应力方向深穿透水力射孔，选择合适的孔密、孔径可将射孔对套管的损害降至最小。研究结果为提高水力射孔完井设计水平提供了一定的参数依据。     

扬声器系统时域结构系数的仿真

从扬声器系统的等效类比线路出发,得出了阻抗特性Z(jω)的表达形式及其曲线。采用全面最小二乘法识别扬声器系统的时域函数的全套系数,从而测出扬声器系统的低频特性参数。以计算机仿真技术为基础,通过MATLAB和EWB软件进行系统模拟分析仿真,得到扬声器系统的阶跃响应、阻抗曲线等特性。     

志丹县城市防洪衡重式挡土墙设计

在水利水电工程中,挡土墙的应用范围极为广泛。随着现代科技的飞速发展、计算机技术的推广普及以及各种计算软件的应用,使以前繁杂的计算过程变得简便迅捷,相较而言计算参数的选取和计算工况的拟定显得更加重要,成为控制设计的关键环节。     

焊膏印刷工艺参数的选择与优化

表面贴装工艺流程的关键工序之一就是焊膏印刷,其工艺控制的好坏直接影响着装配的线路板的质量。通过对印刷工艺参数的分析,利用试验设计的方法来找出关键工艺参数,并加以优化设定,从而为控制工序参数奠定基础。     

dU/dt引发的MOSFET误导通分析

分析了MOSFET误导通产生的原因,分别从原理和理论推导两个方面作了分析,主要考虑了开关管中寄生参数对开关特性的影响。通过求解误导通发生的条件,得到哪些参数会导致误触发,最后给出了仿真。文中还提出如何避免MOSFET误导通产生,以及改进方法,对减少实际应用中MOSFET破坏性损坏有一定意义。