GaP∶N 绿色 LED n2层载流子浓度的优化

在已报道的p-n2-n1结的势垒分布计算的基础上,对该结构的浓度分布进行了计算.对于正偏情形,计入了n2区产生的压降.考虑到GaP∶N LED发光区主要在p区,注入效率γ=jn/(jn+jp),jn和jp分别为电子电流和空穴电流.p区内的少子扩散可视为向无限远处的一维扩散;n2区内外加正向偏压时电场不能忽略,空穴又被n2-n1 结势垒阻挡(设被完全阻挡),则问题归结为求解有限厚度层中空穴的扩散和复合方程, 由边界条件求出空穴扩散电流.将求出的电子扩散电流和空穴扩散电流代入注入效率的表达式即可求得γ.对在合理的参数值范围内的计算结果进行了讨论.分析表明:当n2值在1015～1016cm-3范围内时,注入效率较高,与实验结果基本相符.     

石墨烯/多壁碳纳米管复配改性对天然橡胶复合材料应变传感性能的影响EI

通过溶液共混法将不同配比的石墨烯/多壁碳纳米管(GE/MWCNT)添加到天然橡胶(NR)中,制备了具有电阻-应变响应特性的GE/MWCNT/NR复合材料。利用场发射扫描电镜(FE-SEM)表征了纳米碳填料在NR基体中的分散情况,研究了不同GE和MWCNT配比对材料力电性能的影响规律,通过傅里叶变化红外光谱分析了NR复合材料中纳米碳填料与基体之间的相互作用。结果表明,GE与MWCNT以及橡胶分子链之间的结合力促进了填料在基体中的分散,使复合材料的电阻/应变响应稳定性、灵敏性以及单调性明显优于不含GE的材料,并确定了GE与MWCNT复配比为1:1时,材料各项性能最优。     

超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应

通过对采用0.18μm CMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDD nMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常认为的DAHC应力(最大衬底电流应力)下器件退化最严重的理论不一致.因此,这种热载流子应力导致的器件退化机理不能用幸运电子模型(LEM)的框架理论来解释.认为这种"非幸运电子模型效应"是由于最大碰撞电离区附近具有高能量的沟道热电子,在Si-SiO2界面产生界面陷阱(界面态)的区域,由Si-SiO2界面的栅和漏的重叠区移至沟道与LDD区的交界处以及更趋于沟道界面的运动引起的.     

pMOS器件的热载流子注入和负偏压温度耦合效应

研究了在热载流子注入HCI(hotcarrier injection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性．测量了pMOS器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移，并与单独HCI和NBT应力下的特性进行了对比．在这两种应力偏置条件下，pMOS器件退化特性的测量结果显示高温NBT应力使得热载流子退化效应增强．由于栅氧化层中的固定正电荷引起正反馈的热载流子退化增强了漏端电场，使得器件特性严重退化．给出了NBT效应不断增强的HCI耦合效应的详细解释．     

照明灯具的接地

本文对GB50034-2004《建筑照明设计标准》第7.2.12条"当采用Ⅰ类灯具时,其外露可导电部分应可靠接地"的规定作了系统阐述;说明了灯具及电气设备防触电分类的规定,及各类灯具(0、Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ类)的特点和接地要求;阐述了低压配电系统电气设备(包括灯具)间接接触防护措施,以及和电气设备类别的关联。