溶胶-凝胶法制备P2O5-SiO2快质子导电玻璃

采用溶胶-凝胶法制备了P2O5-SiO2快质子导电玻璃,并借助DSC、XRD、FT-IR等测试手段分析了质子导电玻璃的热历史、微结构等,探讨了玻璃中磷含量、温度、OH基团对导电率的影响.     

新型导电聚合物聚N-[5-(8-羟基喹啉)甲基]苯胺的合成与表征

用化学氧化法合成了新型导电聚合物聚N-[5-(8-羟基喹啉)甲基]苯胺,并用红外光谱、紫外-可见光谱和荧光分光光度计等对其及掺杂态结构和性质进行了表征,研究结果表明该导电化合物无论掺杂与否,都同时既具有较好的导电性,又具有较好的荧光特性。     

丙烯酸酯橡胶导电微球的制备方法

正由青岛欧美亚橡胶工业有限公司申请的专利(公开号CN 104651810A,公开日期2015-05-27)"丙烯酸酯橡胶导电微球的制备方法",提供了一种丙烯酸酯橡胶导电微球的制备方法:(1)将经碱洗、烘干的丙烯酸酯橡胶微球加入到氯化锡敏化液中进行敏化处理;(2)将处理过的微球加入银氨活化液中活化还原3次;(3)将活化的微球加入初始镀铜液中进行镀铜反应,以3 mL·min~(-1)     

偶氮染料掺杂聚吡咯纳米/微米结构材料的制备

采用软模板自组装的方法,使用偶氮染料甲基橙为掺杂剂,以及不同的氧化剂三氯化铁、过硫酸铵(APS)制备出具有纳米/微米结构的聚吡咯材料;同时,采用了其他不同的偶氮染料金橙Ⅳ、橙黄G和偶氮荧光桃红成功合成出其他纳米/微米结构材料聚吡咯.利用傅立叶变换红外光谱、扫描电子显微镜、四探针电阻率测试仪对材料进行表征.结果表明甲基橙分子高度掺杂在聚吡咯分子链中,改变了聚吡咯分子的共轭结构,使其产生了缺陷,从而能够增加聚吡咯的导电性能;用甲基橙为掺杂剂合成的聚吡咯都成一维管状,说明甲基橙掺杂剂在反应中起到了纤维状胶束模板的作用;其他偶氮染料金橙Ⅳ、橙黄G和偶氮荧光桃红为掺杂剂时没有形成聚吡咯纳米管状结构;金橙Ⅳ体系合成的聚吡咯电导率最高.     

三层复合PI薄膜厚度比对其电导特性影响

以微乳化-热液法制备硅/铝氧化物纳米分散液,并制备了一系列掺杂层与中间层厚度比不同的纳米掺杂三层复合聚酰亚胺(PI)薄膜.在相同环境条件下进行了薄膜的透射电镜(TEM)测试和电导电流测试.TEM测试结果可以直接观察到纳米粒子在有机基体中分散均匀,且可得到三层复合薄膜的复合结构,掺杂层和中间层的尺寸比例符合实验要求.复合薄膜的电导电流在同一电场强度下随着掺杂层厚度比例的增加逐渐增大,而电老化阈值随着掺杂层厚度比例增大向低场强方向移动.     

江门利德最新推出英国POSENSOR IXTHUS KTC、KTF位移传感器

KTC和KTF传感器内藏耐用的导电塑料阻轨，适合位置测量及自动化控制等应用。     

用于电动汽车的多重化软开关双向DC/DC变换器的研究

针对典型的半桥式双向DC/DC变换器拓扑结构特点,利用DCM模式下电感电流反向的特征,采用一种不额外添加半导体器件的软开关技术,减小开关损耗;采用多重化拓扑结构弥补DCM模式下电压、电流纹波大的缺陷;在控制方式上采用电压电流双闭环形式,将共用电压环的输出作为每个基本单元的给定电流,解决了并联结构的均流问题。     

宽度和长度缩减对体硅和SOI nMOSFETs热载流子效应的影响

针对标准体硅在CMOS和PD SOI CMOS两种工艺下的nMOSFETs,研究了沟道长度和宽度缩减对热载流子效应的影响。实验结果表明,在两种工艺下,热载流子的退化均随着沟道长度的减小而增强;然而,宽度的减小对两种工艺热载流子退化的影响却截然不同：体硅工艺的热载流子退化随宽度的减小而增强,SOI工艺的热载流子退化随宽度的减小而减小。基于界面态对热载流子效应的影响深入分析了长度减小导致两种工艺下热载流子退化均加重的原因;同时基于边缘电场分布对热载流子效应的影响解释了宽度减小导致两种工艺下热载流子退化规律截然相反的现象。研究结果对于实际深亚微米工艺下,集成电路设计中器件工艺尺寸和版图结构的选择具有一定指导意义。     

EVA基质PTC特性材料制备与导电机理分析

本文简述了以EVA为基质材料制备有机PTC特性材料的实验,实测了样品有关特性,并用非线性回归方法讨论了其导电机理.这对指导温度传感器的设计有一定帮助.     

海水中VLF传播特性分析

本文以电磁波反射定律与折射定律为基础,建立了电磁波在两种介质分界面处的传播模型,研究了甚低频电磁波在导电媒质中的传播特性,推导了甚低频波在海面及海水中传播的电场表达式,分析了导电媒质对不同频率的电磁波所产生的影响,分析结果表明,甚低频电磁波在海水中的穿透深度较大,能够满足水下通信要求。