多晶La0.85Na0.17MnO2晶界问题自旋相关的输运性质

实验研究了晶粒间弱连接和致密连接的La0.85Na0.17MnO2多晶样品的电磁性质。发现弱连接的样品和致密 连接的样品在民里温度以下的输运性质显著不同，弱连接的样品从居里温度到77K在低场下具有较大的磁电阻，而致密连接的样品在低温的磁电阻几乎为零，结合低温下的电阻率与外磁场的关系，可以得出，晶粒间的自旋相关的隧道效应对低温的低场磁电阻起着重要作用。     

异质结载流子传输新模型

<正>本研究是企图通过较为严格的理论工作,建立一个能克服经典模型困难的新的异质结理论系统.第一步的工作是通过较严格的玻尔兹曼传输理论、建立了能适应异质材料的新半导体器件方程组,其中电流密度方程有如下形式:     

衬底负偏置对FLASH器件耐久性退化的影响

研究了ETOXTM结构FLASH memory单元器件在VFG≈VD/2的热载流子写入应力条件下,衬底负偏置对单元器件耐久性退化的影响.结果表明:在既定的栅、漏偏置条件下,随着衬底负偏置的增加,器件耐久性退化会出现极小值.综合考虑了器件耐久性退化以及写入效率两方面的要求以后,确定了在VFG≈VD/2热载流子写入应力模式下,FLASH memory单元器件具有增强写入效率以及最小耐久性退化的最佳衬底负偏置条件.     

0.50微米LDD PMOS工艺研究

为了保证高可靠亚微米ＶＬＳＩ的实现，必须有效地抑制ＰＭＯＳ严重的热载流子效应。本文对０．５０μｍ ＬＤＤ ＰＭＯＳ工艺进行了研究，表明，ＬＤＤ可有效地克服ＰＭＯＳ的热载流子效应和短沟道效应，并对ＬＤＤ结构进行了老化分析，得到了ＬＤＤ ＰＭＯＳ的优化工艺条件，并将这优化的工艺条件应用于亚微米集成电路的制造。     

多功能导电材料试样电阻率测试仪的研制

多功能导电材料试洋电阻率测试仪，是在原ＳＷ－１型数字微欧计的基础上，作了重大的技术改进而制成，仪器设计了电流调节，能直接显示出被测试样的电阻率数值。仪器配有不同规格的测试架，可测量不同规格试样的电阻率，配有专用粉末测试架，可测量粉末材料的电阻率。仪器也可以直接作为高精度数字电压表和高稳定性恒定直流电源输出，做到了一机多用。     

有耗介质覆盖导电圆柱的电磁散射

本文给出了在平面波垂直照射下，均匀覆盖有耗介质后的导电圆柱散场的本征函数级数解。     

导电膏在设备搭接处的使用机理与分析

本文对设备各搭接处使用导电膏的使用效果和导电机理进行了分析,其方式方法及结论仅供检修、运行、电气安装等单位在施工中参考。