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能在高温下工作的InSb基InAlSb红外探测器是新一代红外探测器的发展方向。对衬底表面氧化层的研究是该研究方向的基础。利用椭偏仪(Spectroscopic Ellipsometry,SE)、X射线光电子能谱分析(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)对用现工艺生长的InSb衬底表面氧化层进行了分析。从常用的腐蚀液中挑选了较优的腐蚀液,调节配比,试验加入无机酸后的效果,获得了较优的表面氧化层处理液。对处理后的表面氧化层的稳定性进行了对比,分析了其主要成分的变化,最终获得了满足Epi-ready InSb晶片表面氧化层参数的衬底,为后面高温工作探测组件的研究打好了基础。 相似文献
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为了解决电炉工作时耗能高的问题,对我所自行研制的智能高温电炉做进一步改进.改进后的电炉选用氧化铝纤维耐火材料作为炉材,以二硅化钼作发热元件,选用了以工业PC为核心的电流反馈系统作电气控制.经过有关部门测试,其性能指标高于JB4311.7-91标准.能耗低于普通电炉的50%,工作省时,工作效率高于普通电炉5倍以上,长期工作温度1650℃,最高使用温度为1700℃,耐急冷急热性好,寿命为普通电炉的3倍,正常工作时炉体表面温度低,工作环境好. 相似文献
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美国专利US7313909 (2008年1月1日授权)本发明提供一种专门用在悬停红外抑制系统(HIRSS)的排气挡板上的高发射率红外涂层。HIRSS是用来减弱直升机发动机的红外特征的。随着直升机 相似文献
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红外光电探测器件在军事、民用和科学研究方面具有非常重要的应用。而碲镉汞(HgCdTe)由于自身的诸多优点在红外光电探测器的发展中起到了至关重要的作用,至今仍然是重要的战略战术应用中首选的材料体系。首先分析了针对新一代红外探测器所提出的SWaP3(Size,Weight,and Power,Performance and Price)概念,然后简略介绍了第三代红外焦平面研究背景下HgCdTe薄膜的衬底水平与材料生长情况,最后总结了大规模阵列器件、甚长波红外器件、高工作温度(High Operating Temperature,HOT)器件、超光谱探测器件、双色器件以及雪崩光电器件等前沿技术方面的研究进展。 相似文献
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与用其他材料制备的红外光子探测器相比,碲镉汞红外探测器具有带隙灵活可调、量子效率较高以及R_0A接近理论值等优点。碲镉汞探测器的主要缺点是需要低温制冷,以抑制引起噪声的热生自由载流子。期望碲镉汞探测器在具有高工作温度(High Operating Temperature,HOT)的同时而又无需牺牲性能。HOT碲镉汞探测器的设计目标主要是抑制俄歇过程,从而降低探测器噪声和低温制冷需求。从相关基本概念出发,讨论了对HOT碲镉汞物理机制的理解以及近年来HOT碲镉汞技术的发展状况。 相似文献
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Vigo系统公司推出一种型号为PCI-2TE-13的、适用于傅里叶变换红外光谱学的光电探测器。这种探测器的响应光谱带宽为1μm-13μm,具有一个较宽的谱线 相似文献