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近年来,鉴于锂电池负极用碳素粉末材料以及各种固体碳素材料热处理的需要,日本ICC公司成功地开发了温度控制范围为1500~3000℃,而且可进行气氛调整的连续式石墨化炉。重点介绍了上述石墨化炉的设计、制造以及实际运行效果。给出了连续式石墨化炉的结构示意图与技术参数。指出,该炉不仅工作温度范围宽、气氛可调,而且具有处理周期短、节能效果显著、作业环境好等优点。 相似文献
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据www.techbriefs.com网站报道,美国喷气推进实验室已研制出一种工作温度比现有的InSb基中波红外探测器高的中波红外势垒光电探测器。这种标准的高工作温度势垒红外探测器是用一种与GaSb衬底晶格匹配的InAsSb红 相似文献
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《变频器世界》2014,(11)
正产品特点1.两端隔离(信号输入端与输出端隔离)2.高隔离电压(2KVAC/60s)3.低温漂50PPM/℃(-40~+85℃范围内)4.宽工作温度范围:-40~+85℃5.高响应频率≥2KHz6.低纹波噪声≤35mVp-p(20MHz)7.小体积:DIP18封装(26*9.5*12.5mm)继成功推出业界首款TE/TF_N两隔离信号调理模块后,为满足客户对输入/输出信号类型的多样化要求,金升阳又推出毫伏级/常规正负信号输入,正负/单极性信号输出TEM_CN/AN、TE_CN/AN等4个系列两隔离信号调理模块。该系列采用磁电隔离技术,内部嵌入一个高效DC-DC电源 相似文献
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重点研究了InGaAs/InP SPAD的隧道贯穿电场、雪崩击穿电场、雪崩宽度与过偏电压的关系,提出了过偏电压的计算方法.分析了InGaAs/InP SPAD的基本特性即探测效率、暗计数率与其过偏电压、工作温度、量子效率、电场分布的依赖关系,提出了一种单光子InGaAs雪崩二极管的设计方法.设计制作了InGaAs/InP SPAD,并在门控淬灭模式下进行了单光子探测实验.结果表明:对于200m的SPAD,在过偏2 V、温度-40 ℃条件下,探测效率(PDE) 20%(1 550 nm)、暗计数率(DCR)20 kHz;对于50m的SPAD,在过偏2.5 V、温度-40 ℃条件下,探测效率(PDE) 23%(1 550 nm)、暗计数率(DCR)2 kHz.最后对实验结果进行了分析和讨论. 相似文献
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