植物水分在异质成核时冰点的计算

应用热力学原理定量分析了植物水分异质成核的结冰机理：植物体微小空腔内的水分在结冰时,腔壁起着凝结核的作用,即存在异质成核结冰过程．水分异质成核的温度（即冰点） Ｔ与球形腔半径 Ｒ及冰水对墙壁的浸润性能的差异（用接触角θ表示）之间符合函数关系 Ｔ＝ Ｔ（ Ｒ,ｃｏｓθ）．对于每一个ｃｏｓθ值,当 Ｒ取某一确定值 Ｒ时,冰点达到最低值 Ｔｍ ｉｎ, Ｔｍ ｉｎ可达－ ３６ ℃．     

基于能带调制模型的高压增强型AlGaN/GaN HFET器件

提出了一种能带调制模型,通过在异质结界面处引入负离子电荷(如氟离子)调制异质结处的局部能带分布,实现了对异质结界面处的高密度2DEG的改变。基于能带调制模型,提出了一种复合调制沟道AlGaN/GaNHFET器件。通过在增强型沟道调制区和RESURF调制区分别引入不同剂量的负离子,不仅实现了增强型器件,而且可以降低尖峰电场,优化异质结电场分布,提高器件击穿电压。通过器件仿真软件对其器件工作原理进行了模拟分析,并通过实验结果表明,其器件品质因子FOM由传统器件的4.8MW.cm-2提高到26.7MW.cm-2。     

Ku频段Si基异质集成MEMS表面贴装型环行器

随着现代电子技术的发展,通信收发系统趋向小型化,对射频前端的环行器提出了小型化的迫切需求,微电子机械系统(MEMS)环行器与传统环行器相比具有尺寸小、精度高、功率高的优势。创新性地提出了一款基于MEMS工艺的可表面贴装使用的环行器,最终尺寸为6 mm×6 mm×2.6 mm,工作频率为14～18 GHz,器件损耗小于0.65 dB,隔离度大于18 dB,电压驻波比小于1.4,满足用户需求;与传统微带环行器相比,其具有精度高、一致性好、可批量化生产等特点,同时通过金属化通孔实现微波信号垂直传输,避免出现金丝/金带键合使用时的匹配复杂等难题,在通信和雷达收发组件领域有着广泛应用。     

异质节点分离CRSN中MAC协议设计与性能分析

认知无线传感器网络(CRSN)是一种将认知无线电(CR)技术引入传统WSN中的新型网络,具有一定的应用价值和发展前景.然而,CRSN中的认知功能带来的额外能耗和处理要求及其高成本实现,阻碍了它的进一步发展及应用.基于此,提出将认知功能迁移到另外一类节点——认知节点,并使其拥有较强的处理能力和能量收集能力.认知节点与普通传感器节点按照一定比例进行部署,组成另外一种新型网络——异质节点CRSN (HT-CRSN),这种新型网络能够提高网络性能并降低部署成本.并提出了一种能够适用于这种异质节点传感器网络的工作时序及其一系列可行性的MAC协议(FBP等).通过对所提MAC协议的能耗分析,说明可以通过调整两类异质节点的部署比例和能量收集速率均衡两类异质节点的能耗,进而提高网络生命周期.     

异质栅碳纳米管场效应管电学特性研究

采用一种量子力学模型,研究了类MOSFET型碳纳米管场效应管(CNTFET)的电流特性.该模型基于二维非平衡格林函数(NEGF)方程和泊松(Poisson)方程自洽全量子数值解.结合器件的工作原理,研究了器件结构尺寸效应,比较分析单栅、异质栅CNTFET的电学特性.研究结果表明,与单橱结构相比,异质栅器件结构具有更低的泄漏电流、更高的电流开关比,并且,在15 nm技术节点以上,异质栅CNTFET器件能够较好地满足ITRS'10的相关性能指标要求.     

RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的分析

RTD与HBT是高频高速器件,共振隧穿二极管-异质结晶体管(RTD-HBT)环形振荡器有很好的应用前景.详细介绍了RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的工作原理,建立了RTD,HBT及RTD-HBT环形振荡器的等效电路模型,并对RTD-HBT环形振荡器用Pspice模拟软件进行了电路模拟.模拟结果与预期结果一致,有助于指导该电路的设计.     

工艺参量对NdFeB永磁体和SPCC钢激光点焊质量的影响

为了将激光点焊工艺应用于NdFeB永磁体与冷轧碳钢薄板的连接,试验研究了脉冲功率、脉冲宽度和离焦量对焊点形貌和接头强度的影响.激光点焊中存在热导焊和深熔焊两种焊接模式,改变峰值功率和离焦量都能使焊接模式发生转变,而改变脉宽时焊接模式不转变.点焊试样剪切试验中存在脱壳式、剪断式和压断式3种断裂模式,所对应的熔核尺寸和剪切载荷依次增加.结果表明,为获得较高的连接强度,宜使峰值功率与离焦量适当配合,实现深熔焊模式进行焊接,而脉冲宽度不宜太大.     

高频大功率SiGe/Si HBT的设计

详细地阐述了高频大功率SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)设计中的一些主要问题,主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等.并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议.     

外加磁场对含双δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋输运和散粒噪声的影响

研究了外磁场存在时,含双δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关的透射概率和散粒噪声,讨论了量子尺寸效应和Rashba自旋轨道耦合效应.研究结果表明:不同自旋取向的电子隧穿异质结时,透射概率和散粒噪声随半导体长度的变化特性是作等幅振荡;外加磁场和Rashba自旋轨道耦合强度的增强都会加大透射概率和散粒噪声的振荡频率;外加磁场角度的改变会改变散粒噪声的振荡频率;双δ势垒的存在增大了自旋电子透射概率的振幅.     

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.