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对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法,该方法同时允许本征集电极电阻(Rci)的解析提取.运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAs HBT器件参数,验证结果表明,算法精度可达40GHz. 相似文献
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本届“酷比杯”游戏策划大赛已经圆满落幕了,大赛对于每位参赛者都是一次激励,相信下次的大赛会涌现出更多新人与优秀的作品。跟一等奖及其它成熟的商业作品比较起来,其它参齐作品都还存在一定缺陷。比如游戏流程、规则的设计、文档的规范等方面。但是每篇获奖作品也都有其独到的出色之处。正是出于这个原因,本期选登的作品将仅仅摘录其闪光点或者节选其核心部分刊登,而不再全文发表。学习他人的长处能够弥补自己的短处,相信通过这次大赛,每位参赛者无论获奖与否都会有所收获! 相似文献
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