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氧化物隔离等平面S(z)工艺采用全离子注入工艺代替原始的扩散工艺,使得整个工艺流程更为简化,对于浅结工艺的重复性和均匀性均有较大提高。发射极条和基极条形成自对准,发射极四周靠墙。发射极条宽为3微米时,f_γ>3GHz。该工艺已应用于超高速双极ECL分频器中。 相似文献
73.
张志军 《激光与光电子学进展》2006,43(7):76-77
加拿大研究人员证明,在OLED中使用碳纳米管电极可以比普通ITO设备提高效率70%(Applied Physics Letters 88 183104),可见,碳纳米管电极可代替透明的导体氧化物材料。 相似文献
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稀土氧化物Er2O3对钛酸基瓷料介电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了稀土氧化物Er2O3对BaTiO3基陶瓷系统介电性能的影响,通过掺杂稀土化物Er2O3,可使BaTiO3基系统的相对介电常数εr保持较高的数值(>3000),同时,系统的容量温度变化率大为改善,在-55-+125℃工作温区内,满足X7R特性,并且随着Er2O3含量的增加,系统的耐压强度也得到了很大的提高,达16900V/mm. 相似文献
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采用等离子喷涂工艺在镍基高温合金基体上制备了热障涂层(底层为MCrAlY,面层为ZrO2+ 8% Y2O3),通过控制高真空烧结炉的氧分压对涂层进行预氧化处理,分析了预氧化处理对热障涂层热冲击性能和涂层应力状态的影响.结果表明,预氧化处理提高了粘接层的致密度,涂层组织变得均质化,降低了粘结层由于凸起尖角产生复杂应力的概率;有效干预热生长氧化物(TGO)的生长过程,降低了TGO的生长速度;热障涂层残余应力随热冲击次数的增加而增大,但经过预氧化处理的涂层应力增长幅度较缓慢,经过400次热冲击后的残余应力为492.5 MPa,未经过预氧化处理涂层热冲击350次后应力值为650.1 MPa. 相似文献
78.
光电子器件用透明导电膜 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了低电阻率的铟锡氧化物透明导电膜的机理、制备及实验结果,并对某些参数在电阻率透射率方面的影响作了讨论。 相似文献
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应贤炜王建浩王佃利刘洪军严德圣顾晓春 《固体电子学研究与进展》2016,(3):207-212
针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。 相似文献
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