非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT

Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采…     

轴承钢纯净度的现状与发展

本文指出了当前轴承行业对轴承钢纯净度的最新要求，阐述了轴承钢中氧含量、钛含量、氮含量、铝含量以及硫含量对轴承钢纯净度的影响及冶炼工艺的最新进展对轴承钢纯净度的改善。     

KZON-170/550型空分设备在浮法玻璃生产中的应用

以含氧小于10ppm的高纯氮气(占94~95%)与含氧小于15ppm的氢气(占5~6%)作混合气保护锡槽,防止锡被氧化。介绍了该套设备性能良好,采用无油润滑空压机、分子筛净化再生新工艺、氧氮气双高,并简介了运行管理的几条经验。表1。     

氮氧混合气体高压脉冲电晕放电等离子体的分子束质谱诊断研究

利用具有三级差分抽气系统的分子束质谱仪为检测手段，对N2，O2混合气体的线板式高压脉冲电晕放电等离子体阴极板区的正离子成分进行了诊断研究。实验结果表明：在放电反应室N2,O2混合气体压力1330～3325Pa，峰值电压4～10kV及放电重复频率10～100Hz范围内，N2^ 和O^ 流强相当，N^ 流强约为N2^ 流强的2～10倍，N^ 、N2^ 和O^ 流强随脉冲峰值电压、放电重复频率的升高而增大，随放电气压的变化则存在一极值。     

合成氨氢氮比自适应控制的研究

本文研究了中、小氮肥厂合成氨生产中氢氮比控制问题。文中给出了以机理分析和系统辩识相结合的方法建立的氢氮比系统动态数学模型,对未知模型参数采用在线递推估计技术进行实时辩识,构造出利用中间测量状态的最佳线性预估器,采用自校正控制方案,设计了适合于大时间滞后系统控制的极点配置算法,实现氢氮比控制。同时也绐出了系统的仿真实验曲线。     

气体碳氮共渗钢锯条性能研究

采用薄层气体碳氮共渗新工艺，对钢锯条的性能进行研究。结果表明控制锯齿渗层的成分，组织，渗深及表面硬度，消除了黑色组织，显著增加锯条的弯曲强度和挠度，减少脆性断裂，相对液体碳氮共渗锯条，可明显提高锯切性。     

316L不锈钢表面氮离子注入后的疲劳及腐蚀疲劳行为

３１６Ｌ（Ｆｅ－１７．５Ｃｒ１３．５Ｎｉ－２．５Ｍｏ）不锈钢注入Ｎ离子后，其自由腐蚀电位Ｅ＿０、孔蚀再钝化电位Ｅ＿ｐ及孔蚀电位Ｅ＿ｒ均大大提高。在大应变量下，疲劳寿命下降；在小应变量下，疲劳性能改善。在电位Ｅ＿０作用下，其腐蚀疲劳寿命较高子注入前有所降低。在施加电位Ｅ＿０－１００ｍＶ时，其疲劳寿命较离子注入前提高。表面离子注入层的存在提高材料的循环应力。