混合集成电路用的封装材料

首先介绍混合集成电路封装技术的发展，然后讨论混合集成电路封装材料的选择及其依据，最后介绍新的混合集成电路封装材料。     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ     

黄河流域委属大河控制站站网布局分析检验与调整

简要论述了黄河流域委属大河控制站的基本情况，通过资料分析，按“直线原则”计算了黄河大河控制站布站数目的上、下限，并调查分析落实了各河段近期和中长期治理开发对水资料的需求，确定各河段测站数目的采用值；对照现有站数，结合测站位置，功能，测验，生活条件等，逐段逐站进行审查，综合评估，决定测站的撤，迁，留，并对密度不足的河段提出了设站意见。     

谈装饰材料的选用与防火

近几年来，随着国民经济和城市旅游业的发展，新型装饰材料有了较快发展。不论在材料品种，产品性能，生产能力和应用技术上都有了一定的进步。新型装饰材料已经在公共建筑和家庭装饰中得到了广泛应用。     

聚羟基脂肪酸铝的合成研究

本文探讨了可用于歪保对有机溶剂进行吸附的聚羟基脂肪酸铝的合成条件，改变合成条件对聚羟基的影响。     

含氯取代基的聚间苯二甲酰间苯二胺的合成与表征

以 2 ,5 -二氯对苯二甲酰氯作为第三单体 ,将其与间苯二甲酰氯、间苯二胺在N ,N -二甲基乙酰胺中进行低温溶液共缩聚反应 ,合成了含氯取代基的聚间苯二甲酰间苯二胺。研究了单体摩尔浓度、反应初始温度、叔胺添加剂种类、第三单体用量等对共聚物相对分子质量的影响 ,并用红外光谱、热重分析等方法对共聚物进行了表征。     

多模激光自混合干涉实验与理论分析

根据单模激光自混合干涉的基本理论，基于多模竞争，建立多模激光自混合干涉模型，分析多模激光的自混合干涉波形。理论分析与实验观察表明，多模自混合干涉信号是激光管腔长的谐波函数，利用光强波 包络信号可进行大量程测量；激光模数增加有利于测量分辨率的提高；光强波动信号对应激光管等效腔长的整数倍时，可获得最大干涉信号调制深度。