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基于体全息技术的WDM器件 总被引:2,自引:0,他引:2
利用体全息技术制作波分复用器件是一种新方法。本文介绍了此种方法的基本原理和器件的基本性能,并报道了国外对该项技术的研究进展。 相似文献
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宋健 《计算机测量与控制》2002,10(5):281-283,297
宋健同志这篇文章,站在世纪之巅,纵观百年历史长河,高屋建瓴,激情洋溢,把浩若繁星的工程科技成就,编织成一幅壮美的历史画卷,展示在世人面前,让人感受到科技作为第一生产力的神奇及作为历史前进杠杆的威力,看到了科技创造现代文明和人民福祉的不朽功绩,使人读来不禁由然产生了对一代代工程科技专家们的由衷敬佩。中华民族需要一批科学家挺进在世界科学前沿,更加需要众多世界一流的工程科技专家涌现出来,我们愿更多的有志英才,读过此文后,更加热爱和崇尚工程科技事业,投身于工程科技大军,为建设中国现代化奉献智慧和力量,去创造工程科技新的辉煌。 相似文献
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赤血盐〔K_3Fe(CN)_6〕是化学、医药、造纸、彩色胶卷等许多工业中经常使用的重要化学试剂和化工原料,在电镀、制革及钢铁工业中的应用更具有悠久历史。目前在选矿及其它领域也找到了一些新的用途。过去生产 K_3Fe(CN)_6均采用化学氧化法,使用氧化剂有 Cl_2、KMnO_4、O_3等。自本世纪60年代以来,欧洲一些厂家相继改 相似文献
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新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
57.
医用聚氯乙烯材料的表面光接枝改性 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了在不排氧氛围下 ,紫外光照射 ,以二苯甲酮 (BP)为光引发剂 ,甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)在医用聚氯乙烯 (PVC)薄膜表面的气相接枝聚合。探讨了反应条件对接枝结果的影响 ,并用正交法指出了影响因素的显著性。用傅立叶红外 (FT- IR)、水接触角作为接枝改性结果的表征。FT- IR谱图表明 GMA已接枝到 PVC膜表面。水接触角由接枝前的 78°下降到 5 4° 相似文献
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从2002年7月1日起,市场上不符合“室内装饰装修材料有害物质限量”标准的产品将遭到封杀。业内专家认为,强制性标准的实施,意味着建材行业将重新洗牌——符合环保标准的建材市场空间巨大,否则将被淘汰。 相似文献
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4 覆铜板用高性能铜箔 覆铜板一般是由树脂基体、增强材料、铜箔三大部分材料复合而成的。其中铜箔材料对覆铜板特性起到十分至关重要的作用。近年来,各种电子信息产品技术得到高速发展,也对PCB提出更高要求。特别是通过精细线路、微孔的高密度层间连接,以达到高可靠性。PCB对基板材料的要求,促进了铜箔材料特性及品质的提高。同时,铜箔材料在许多特性上的进步,也配合了覆铜板制造技术及性能的提升。 相似文献