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81.
基于改进模拟植物生长算法的输电网络扩展规划 总被引:6,自引:0,他引:6
输电网络规划是一个复杂的组合优化问题,若以选择线路回数为变量抽象出模型,则输电网扩展问题可以归结为一类整数规划问题.对模拟植物生长算法进行改进,形成了适于解整数规划问题的改进模拟植物生长算法,并将此算法应用到电力系统输电网络扩展规划中.为了加快算法收敛,采用了Kruskal算法来获取初始点,提出了一种快速判别网络连通的算法.最后,实例计算结果表明了该方法的可行性. 相似文献
82.
83.
GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管 总被引:1,自引:1,他引:1
用气态源分子束外延(GSMBE)法生长了掺杂GexSi1-x/Si合金并试制了p-n异质结二极管,X射线双晶衍射和二极管I-V特性表明,GexSi1-x/Si合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因.通过控制GexSi1-x/Si合金的组分及厚度,我们获得了较高质量的GexSi1-x/Sip-n异质结二极管材料,其反向电压为-5V时,反向漏电流密度为6.1μA/cm2. 相似文献
84.
85.
86.
研究不同生长温度下的InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长,用光致发光和X射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性,得到了室温脉冲激射1.3μmAlGaInAs有源区SCH-MQW结构材料,为器件制作研究打下了基础. 相似文献
87.
88.
用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量。PL结果表明,10s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好。该量子阱应用于1.06μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100μm×1000μm)有低阈值电流密度(110A/cm2)和高的斜率效率(0.256W/A,per.facet)。 相似文献
89.
纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视。作为制备高质量纳米量子点的工艺技术 ,自组织生长方法倍受材料物理学家的青睐。而如何制备尺寸大小与密度分布可控的纳米量子点更为人们所注目。因为这是关系到纳米量子点最终能否器件实用化的关键。文中以此为主线 ,着重介绍了各种 Si表面 ,如常规表面、氧化表面、台阶表面以及吸附表面上 ,不同纳米量子点的自组织生长及其形成机理 ,并展望了其未来发展前景 相似文献
90.
纳米世界有大美.有艺术图形的薄膜生长均出自相变.北京大学在研究超高密度信息存储纳米薄膜材料时发现只有少数几种组合材料可以出现具有艺术性的图形.文中论述了纳米相薄膜会出现远离平衡的自组织生长的三种可能性,即分区协同生长、分区非协同生长、不分区协同生长,并各选用一张图片作为示例.这些艺术性图形都是不可重复的,但也可能出现可重复的生长,亦示出一张图片. 相似文献