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NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
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运放滞回比较电路在差动式温度控制中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
从差动式温度控制的角度研究了两种由集成运算放大器构成的滞回比较器(基型和交叉耦合型)的传输特性,发现它们均能用作闭环差动式控温单元,并都具有在温度设置点转换速度快、抗干扰能力强、控制单元设计简单等优点。分析和比较了这两种控温单元的控制参数的调节性能和参数的稳定性,获知后者的预置温度(Th或TL)和差动温度范围(△T)的设置值均能各自独立地调节,且系统的Th,TL,△T的实际值几乎仅决定于设置电路本身,因而显得更为优越。文中还讨论了应用中的有关问题,并给出了相关的应用实例。 相似文献
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BAMHL1 1 /3- 72 0 0 - 1× 3W是在总结以往充气集合式高电压并联电容器产品优点的基础上 ,为优化大容量产品结构 ,提高绝缘可靠性和设备技术经济性能而开发的项目。本文着重介绍该产品的内部结构、外壳筋板结构和混合气体绝缘等几点改进。 相似文献
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