多晶硅压力传感器灵敏温度系数自补偿技术研究

介绍了硅压力传感器的灵敏温度系数补偿原理,给出了一种在宽温度范围内采用二次补偿灵敏度温度系数的方法,实现了宽范围较高的补偿精度.具体方案是把压阻式惠斯登电桥与温度传感器、可微调多晶硅电阻集成在一个芯片上,通过优化多晶硅电阻的掺杂浓度和改变激励源的温度特性,从而实现对多晶硅压力传感器灵敏温度系数的二次补偿作用.经补偿,传感器的灵敏温度系数小于-1.5×10-4/℃,该方法的补偿温度范围为20℃～ 150℃,通用性强.     

InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究

为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA)，将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构，避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品3在80～125mA电流范围内，获得了偏振灵敏度≤0．6dB．最小可达0．1dB；较大的电流范围内FWHM值为40nm。     

石墨化炉用电阻料的改进实践

根据对石墨化焦、生焦特性的分析 ,得知用石墨化焦作电阻料能得到相对均匀的温度场 ,温度梯度较小。决定大规格电极用石墨化焦 ,小规格电极用生焦来取代混合焦作电阻料 ,并结合其持性 ,对曲线进行了改进 ,在保证品级率的前提下提高了电极的成品率     

回复应变退火对铁锰硅合金形状记忆效应的影响

结果表明，预应变后的合金经回复应变退火后，组织转变分为三个阶段，形状记忆效应主要产生于４７５℃以前第一阶段的应力诱发ε马氏体向奥氏体转变，４７５℃以后的各阶段组织转变对形状记忆的效应不产生贡献。适宜的回复应变退火温度为５００℃。     

环境条件对电火工品电阻的影响

讨论了震（振）动和受潮等环境条件对电火工品电阻的影响。统计分析表明，震（振）动使电阻趋于增大，而受潮使电阻趋于减小，在绝大多数情况下，电阻的相对变化在１０％左右。     

一种新颖的Π型 D/A 电阻网络

文章在分析了两种常见的Ｄ／Ａ转换器权电阻网络后，提出了一种全新的Π型权电阻网络Ｄ／Ａ转换器，在电子技术应用领域有其实用价值。     

机械合金化过程中Fe70B30粉末晶粒尺寸和微观应变的研究

用Ｘ射线和电镜研究了Ｆｅ＿（７０）Ｂ＿（３０）粉末经不同时间高能球磨后晶粒尺寸和微观应力的变化。在机械合金化过程中，粉末的Ｘ射线衍射谱的宽度随球磨时间的增加逐渐加宽，这是晶粒细化和内部微观应力共同作用的结果。Ｘ射线衍射结果表明：随着机械合金化的进行，粉末的晶粒尺寸逐渐减小，球磨初期晶粒尺寸下降较快，经１５ｈ球磨，晶粒尺寸为２５ｎｍ，机械合金化进行到一定时间后晶粒尺寸下降缓慢，８０ｈ球磨后晶粒尺寸可达５ｎｍ。在机械合金化过程中球磨所造成的微观应变不大，球磨初期粉末的内应力随球磨时间增加而增加，当粉末粒子尺寸很小时，随球磨的进行粉末中的微观应变显著下降。     

环形容器接管环带区球壳侧应变场在线性条件下的工程估算研究

本文用电测法对３台带接管的球形容器（两台带正交接管，一台带切向接管）接管环带区的应变进行了测试，对应变分布进行了分析。认为球形容器接管环带区的峰值应变位于离焊缝较近的球壳侧，且峰值应变和压力具有线性关系。在线性条件下，对球壳侧应变的工程估算进行了探测，得出的试验式可供压力容器安全评定时参考。     

实验应变／应力模态分析若干问题的进展评述

本文评述了实验应变／应力模态分析进展的若干基本问题。主要是：应变响应与位移响应的关系；应变频响函数矩阵的特点及其测量方法；应变模态的加权正交性及其识别方法；以及其他问题。