一种新型的高噪声抑制比及高温度稳定性的基准电压产生器

基准电压源 (或基准电流源 )在CMOS模拟电路中被非常广泛地采用 ,因其在一定的温度范围内随温度的变化很小。本文介绍一种新型的CMOS基准电压产生器 ,采用CSMC6 0工艺和5 0V的工作电压 ,在 - 10℃到 +85℃的温度范围内 ,它能够产生约为 95 8± 3 5mV的基准电压 ,而且此基准电压在低频时的电源噪声抑制比PSRR达 15 5dB ,可以为各种中低功耗的CMOS集成电路提供稳定的工作电压     

基于OTRA的电压模式全集成连续时间滤波器

用MOS电阻电路，给出了适于全集成的OTRA-MOSFET比例运算电路和OTRA-MOSFET-C无损和有损积分器。这些电路能减小寄生电容的影响，且其带宽与闭环增益无关。由此构造了两种新型全集成连续时间二阶滤波电路，可获得低通、带通或低通、带通和高通输出。该电路结构简单，便于电控调谐。     

ICL7650斩波稳零运算放大器的原理及应用

介绍了Intersil公司生产的斩波稳零式高精度运算放大器ICL7650的结构及性能 ,分析了动态校零的基本工作原理 ,给出了ICL7650在地震前兆信号采集系统中的应用实例     

Cirrus Logic扩展工业市场高精度运算放大器产品系列

Cirrus Logic公司推出CS300X系列高精度集成电路，扩展了其低成本高精度运算放大器产品系列，新产品解决了科学和工业测量应用领域中放大低电平模拟信号的难题。     

热处理对Ti-Mo-V-Nb-Al合金微观结构的影响

形状记忆合金由于其优良的超弹性和形状记忆效应而在医学上有着广泛的应用，其中由于NiTi形状记忆合金相较其它形状记忆合金具有更好的超弹性和生物相容性而得到了广泛的应用。但由于镍元素的毒性，使得开发一种生物相容性更好、无镍且具有良好力学性能的形状记忆合金成为必需。Ti-Mo-V-Nb-Al五元合金就是为此而开发的一种新型形状记忆合金。本研究用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和高分辨电子显微镜（HREM）研究了不同热处理条件对Ti-Mo-V-Nb-Al形状记忆合金微观结构的影响。     

凌力尔特公司微型运算放大器

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出低噪声、高精度CMOS运算放大器系列的最新成员LTC6244。LTC6244采用了独特的架构，具有8nV／√Hz的低噪声和仅为2．1pF的输入电容。除最小的电压增益误差外，LTC6244还具有卓越的DC精度。在25℃条件下，它具有1pA的偏置电流和低于100uV的输入失调电压。偏压漂移保证低于2．5uV／℃，     

增益增强型CMOS运算放大器的自动优化算法

在增益增强型运算放大器优化中采用了自动设计方法,此方法在电路性能方程式和自适应遗传优化算法基础上对电路性能指标进行优化。该放大器在0.18μm CM O S工艺条件下中开环增益为92.1 dB,单位增益带宽积为1.78 GH z,相位裕度为55.1°和0.2%建立时间为1.27 ns,同时说明此优化设计方法的有效性。     

一种电流镜型的BICOMS带隙基准电压源

传统的带隙基准源电路中存在运算放大器，其性能指标在很大程度上受到运放失调电压（Offset）、运放电源电压抑制比（PSRR）等参数的限制。要想进一步其性能，就需在电路结构上进行改进。 为此，笔者设计了一种新型基准源电路，其采用电流镜复制技术，没有使用运算放大器，避免了运放输入失调和电源抑制比的限制，并利用深度负反馈技术，极大地提高了电源抑制比。     

一种应用于CMOS运放的高速间接反馈补偿技术

给出一种应用于CMOS运放的高速间接反馈补偿技术,用这种间接反馈补偿技术设计的CMOS运算放大器与(Miller)直接补偿相比,具有高速、低功耗、很高的电源抑制比优点,并极大地减小了版图尺寸。通过电路级仿真,对两种反馈补偿技术进行比较,结果验证了间接反馈补偿技术的优越性。     

不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应

介绍了在相同工艺条件下 ,N沟和 P沟输入两种不同结构 CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律及各子电路对电特性的影响情况 .结果表明 :由辐照感生的氧化物电荷引起的N沟镜像负载的不对称是导致 P沟输入运放电特性衰降的主要机制 ;而由氧化物电荷和界面态引起的 N沟差分对的漏电增大则是造成 N沟输入运放电路性能变差的主要原因