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本文用IBAD-PVD复合方法在单晶硅上制备了Cr/Ni复合金属化层,研究了沉积工艺条件及退火对薄膜的界面结合强度和电阻率的影响,获得了界面结合强度高、电阻率低、抗热震性能好的Cr/Ni复合金属化膜,界面结合强度可达31MPa。 相似文献
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本文介绍对含锌硫多金属矿石采用先混合浮铅硫,然后铅硫分离,最后选锌的浮选工艺流程。浮选药剂采用中度碱性三合剂及有机抑制剂。最终获得铅锌硫三种精矿产品的较好指标,特别是使锌精矿中的硅降至0.25%,达到延长蒸馏灌的使用寿命和方便蒸馏渣的排出。 相似文献
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国际光学工程学会于1994年7月28—29日在美国圣迭戈召开了“先进微器件和空间科学传感器”学术交流会,会议共交流15篇论文。第一部分论文阐述了关于行星表面,大气和行星际间探测所用的器件和系统以及今后三年对火星表面和大气探测可能用的微型器件和小型系统。第二部分论文重点论述了新的传感器技术在现场探测和遥测领域的潜在应用。第三部分论文阐述了行星探测和地球遥感仪器整体小型化问题。 相似文献
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一、引言硅高效太阳电池的转换效率自1983年的17%,提高到1990年的24%效率的快速发展主要是在两个方面有了重大改进。一是在设计中采用了光陷井技术,利用化学腐蚀的方法形成微型槽(μ-groove)或倒金子塔形状(Inverted Pyramid)的结构,增加了短路电流密度(Jsc)。二是改进了制造工艺技术,在制造过程中采用高载流子寿命的TCA氧化工艺,减少了光生载流子的表面复合速率。这样不但增加了短路电流密度(Jsc),同时也提高了开路电压(V_∝) 相似文献
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应用12MeV电子束福照效应制造硅P^+NN^+高频整流二极管 总被引:2,自引:1,他引:1
杭德生 《辐射研究与辐射工艺学报》1995,13(1):1-5
采用12MeV电子束辐照效应将P^+NN^+普通速流二极管改制成高频整流二极管,与传统掺金工艺相比,少子寿命控制精确;trr和VF的一致性和重复性好;高温性能明显改善;产品合格率提高30%以上,工艺简单易行。 相似文献