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The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively. 相似文献
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据报道,美国的科学家们在硅纳米晶体中发现了一种叫做多重激子产生(MEG)的重要效应。MEG效应会导致每吸收一个光子形成多于一个的电子。有关研究成果发表在近期的《Nano Letters Journal》在线版上。[第一段] 相似文献
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英国南安普敦大学研究人员发现,在制造三层晶体管时向硅中加氟可使其中电子流动速度加快。研究人员利用现有硅制造工艺向硅器件加氟以图提高电子速度。 相似文献
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《稀有金属》2003,27(4):451-451
美国绝缘硅 (SOI)晶圆技术开发商SiliconGenesisCorp .(SiGen)宣称已将单片光电器件集成到了称之为“NanoPhotonicSOI”的标准硅芯片工艺技术之中。该公司高级市场和销售总监LoriNye表示 ,SiGen已经获得了该技术的一揽子订单。Nye在一项声明中表示 :“SiGen开发这种新型衬底技术的原因是它可以与我们的核心层转移 (Layer transfer)能力相配合 ,具有在面向诸如下一代通信和计算的集成光处理应用领域中扮演关键角色的潜力”。他还表示 ,“SiGen与客户之间真诚合作 ,从而有能力实现一种全新的基础衬底 ,在光电子领域引发一场革命。我… 相似文献
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