磁场和库仑场对量子点中强耦合束缚极化子性质的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法研究了磁场和库仑场对半导体量子点中强耦合极化子性质的影响.导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量与量子点的有效受限长度、库仑束缚势、磁场的回旋共振频率和电子-声子耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的回旋共振频率的增加而增大.基态能量随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而减少.     

高频地波雷达相位补偿系统

OSMAR2000采用的是“一发八收,收发共用”模式的相控阵高频地波雷达.为了扩大其探测的范围,在新的雷达系统中将采用多发多收的模式,从而导致当信号通过通道后,信号的相位会因受到通道的调制而发生改变,使得雷达无法正常工作,因此需要对通道的相位进行实时监控和补偿.在参考了低频段的相位测量原理和射频段的相移电路的设计理论的基础上,该文提出了基于差分放大器、容阻和容感器件的高频地波雷达收发通道的相位控制系统.     

用于公共无线接入的无线局域网

随着数据业务的不断增长，人们对无线数据业务的要求越来越高。从市场和技术的角度看，速率高、部暑方便且价格低廉的无线局域网(WLAN)公共无线数据接入服务正当其时。首先介绍了用WLAN提供公共无线接入可采用的三种运营模式。讨论了安全性、鉴权与计费、移动性、网络管理、服务质量等提供公共WLAN服务需要进一步考虑的技术问题，分析了移动运营商的实现方法，最后以诺基亚公司的OWLAN技术方案为例分析了网络的结构和组成。     

气藏水平井非稳态产能预测新方法研究

针对高产气藏储层特征,建立起气藏水平井非稳态产能预测模型,对高产气藏的产能进行分析和预测.实例分析表明,通过该模型形成的基于气藏与井筒耦合作用的非稳态产能预测新方法,对于单井产能预测具有优越性、长远性和实用性.该方法可直接利用不稳定压力测试成果进行预测,还可通过生产动态资料拟合来确定地层参数和预测,也可用来研究不同工作制度、完井方式,以及增产措施改善情况下的产能变化,为衰竭式开采的气藏工程研究提供了先进的手段.     

10 Gb/ s 0. 18 􀀁m CMOS 激光二极管驱动器芯片

基于0．18μm CMOS工艺设计的10Gb／s激光二极管驱动器电路。核心单元为两级直接耦合的差分放大器，电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术以扩展带宽，降低功耗。模拟结果表明，在1．8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb／s速率上，输入单端峰峰值为0．3V的差分信号时，在单端50Ω负载上的输出电压摆幅可达到1．4V，电路功耗约为85mW。     

Ka波段宽带四倍频器的研制

介绍了一种Ka波段宽带四倍频器的研制方法。为了实现宽带、低插入损耗的要求，该倍频组件采用二倍频器—放大器—二倍频器的结构，即在两级倍频器之间插入一级宽带驱动放大器，而Ku波段和Ka波段的二倍频器分别采用了结构新颖的平面耦合微带线巴伦倍频器和平面毫米波倍频器。     

PPT光纤波片耦合模方程的解析解

理论分析了PPT光纤波片耦合模方程，得出了一定条件下的解析解，将该解析解和渐进近似结果进行了比较，它们在实际应用的PPT光纤波片中具有很好的一致性。     

应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染

研究了采用感应耦合等离子体-原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX-SOI材料过程中金属杂质污染的有效性.同时研究了采用强酸清洗、加SiO2膜覆盖等方法对降低污染程度的效果.利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样,检测结果是一种整体的平均效果.采用强流氧注入机进行高剂量氧注入,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染;60nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染.     

带间耦合多有源区大功率980nm半导体激光器

提出利用隧道结实现带间耦合再生多有源区大光腔大功率的半导体激光器。该激光器能够在小的电流下输出大的光功率；同时可以使出光端面成倍增加，减少了端面光密度，克服端面灾变性毁坏（COD）。由于耦合形成大光腔，提高了光输出的质量。制备4个有源区带间耦合大功率980nm半导体激光器。在2A注入电流下输出功率5W，阈值电流172mA，斜率效率3.24w/a，阈值电流密度273A/cm^2。