首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   30293篇
  免费   1684篇
  国内免费   1179篇
电工技术   2475篇
综合类   1490篇
化学工业   2966篇
金属工艺   5560篇
机械仪表   3852篇
建筑科学   2763篇
矿业工程   648篇
能源动力   513篇
轻工业   985篇
水利工程   905篇
石油天然气   851篇
武器工业   187篇
无线电   3134篇
一般工业技术   2374篇
冶金工业   2175篇
原子能技术   246篇
自动化技术   2032篇
  2024年   394篇
  2023年   1329篇
  2022年   1345篇
  2021年   1501篇
  2020年   1040篇
  2019年   994篇
  2018年   417篇
  2017年   690篇
  2016年   738篇
  2015年   863篇
  2014年   1797篇
  2013年   1405篇
  2012年   1664篇
  2011年   1619篇
  2010年   1526篇
  2009年   1561篇
  2008年   1883篇
  2007年   1536篇
  2006年   1327篇
  2005年   1282篇
  2004年   967篇
  2003年   860篇
  2002年   773篇
  2001年   764篇
  2000年   660篇
  1999年   507篇
  1998年   531篇
  1997年   482篇
  1996年   370篇
  1995年   414篇
  1994年   335篇
  1993年   317篇
  1992年   348篇
  1991年   304篇
  1990年   255篇
  1989年   260篇
  1988年   28篇
  1987年   17篇
  1986年   10篇
  1985年   11篇
  1984年   4篇
  1983年   8篇
  1982年   9篇
  1981年   8篇
  1965年   1篇
  1959年   1篇
  1951年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
21.
顾康 《压力容器》1991,8(5):43-45
脱泡桶是维纶抽丝装置的龙头设备,它台数多(共有40台),造价高,1978维纶厂自己设计、建造,1980年开始投用。1987年我们用着色法对其中4台进行探伤,发现几乎每台都有严重的超标缺陷。故委托“华夏压力容器安全评定技术咨询  相似文献   
22.
手机主板中有很多芯片是BGA封装的,而回流焊期间会出现一定比例BGA焊接缺陷,如虚焊、短路等等。对于这种BGA的维修,一般只是把这个芯片取下,然后重新焊上新的芯片。可是取下的芯片就没用了,实际上很多这类芯片本身并没有坏,如果给芯片重新制球,就可以重新利用,从而节约成本。  相似文献   
23.
本文介绍了在单体硼铸铁活塞环的铸造生产中,采用合B10.31%的硼矿石取代价格昂贵的硼铁合金,达到节约生产成本,消除硼铁合金中合铝量高而导致的毛坯环皮下气孔缺陷。  相似文献   
24.
废铜的分类     
《资源再生》2008,(3):71-71
一、一次废铜 如不合规格的阳极、阴极和坯料,阳极废品.这些废料不能进行深加工或出售,通常是将其返回上一步工序,不合规格的铜通常重新返回转炉或阳极炉进行电(解)精炼,有缺陷的坯料则进行重熔和重铸.  相似文献   
25.
据国家质检总局信息,质检总局缺陷产品管理中心于4月1日起正式开通缺陷产品召回管理网以及新的电话投诉中心.以受理消费者更为广泛的产品投诉。  相似文献   
26.
用正电子湮没多普勒展宽能谱测量和分析了若干急冷淬火制备的薄带,表明软磁Fe基纳米晶合金中的缺陷(自由体积)远多(大)于其晶化前的非晶态;能够晶化成纳米晶的Fe基非晶制备态材料中的缺陷也多(大)于类似成分但又不能晶化成纳米晶的非晶态材料中的缺陷;Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5b9.0合金的急冷淬火制备态在热处理过程中,低温退火时缺陷减少,高于200℃的退火导致缺陷增加,纳米晶化后的进一步退火缺陷基本不增加;Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5B9.0合金纳米晶化后,在所选定的测量条件下没有发现正电子湮滑参数时间,温度的变化,说明该材料缺陷结构相当稳定。  相似文献   
27.
注氢硅中微结构缺陷的TEM观察   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带,损伤带的位置和注人氢的分布几乎一致,推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主,另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷,这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞,这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷面导致形成的。  相似文献   
28.
用正电子湮没方法研究了新型超微晶软磁合金的微观结构缺陷,样品选用的是在不同温度下退火的Fe81P12C3Cu1Mo0.5Si2.5合金,结果表明,合金的微观结构构陷大小,密度随退火温度有规律地变化,这种现象可能与非晶的晶化过程有关。  相似文献   
29.
本文在研究轧辊夹杂缺陷形成机理的基础上,分析了产生夹杂的原因及过程,并提出了具体的防止措施,由于这些措施已有成功的经验,故有较广泛的推广和使用价值。  相似文献   
30.
通过对断裂钢缆的检测分析,认为拧成钢缆的钢筋表面缺陷如机械划痕,严重的腐蚀麻坑等是引起钢缆早期断裂的主要原因。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号