我国首部粉体工业产业政策汇编出版发行

我国粉体行业首部《中国粉体工业产业政策汇编》(ISBN 7-80159-737-0／D·010)日前由中国建材工业出版社出版,面向全国发行。此书72万字,由余绍火、吴宏富、王春峰主编。中国颗粒学会副理事长兼颗粒测试专委会主任、中国粉体技术杂志主编、中国粉体工业协会(筹)理事长胡荣泽教授为此此专     

中国粉体工业通鉴编委会向专家赠书

日前，中国粉体工业通鉴编委会向在京参加中国颗粒学会2006年会暨海峡两岸颗粒技术研讨会的专家学者，以及我国从事粉体技术研究的两院院士，共计300多人，赠送了新出版的《中国粉体工业通鉴》第二卷（2006版）一书，受到了专家们的欢迎，纷纷评价这是一本集成粉体新技术、荟萃科研新成果、传播产业新政策、记录行业新面貌的好书。     

工艺条件对ZrO2粒度的影响

以工业ZrOCl2·8H2O和分析纯Nh3·H2O为主要原料,采用化学沉淀法制备了ZrO2纳米粒子,研究了不同阶段添加表面活性剂聚乙二醇(PEG)对ZrO2粉体颗粒尺寸的影响机理.通过测定ZrO2粉体比表面积计算出其粒度在10～40nm之间.     

中德联合打造我国最大的成套粉体设备基地

日前，国家重点高新技术企业浙江丰利粉碎设备有限公司与德国IVA工业技术有限公司（简称德国怡发公司）正式签约，就粉体设备、成套工程技术及制造、销售等方面展开强强合作，并计划在5年内将联合打造我国最大的粉体设备加工中心、测试中心、技术检测中心、技术开发中心以及销售中心。     

有机硅高沸物制备β-SiC粉体的初步研究

以有机硅高沸物为原料高温热解制备β—SiC粉体。实验证明：有机硅高沸物在1450℃下晶化2h，可以得到晶型较好的β—SiC，用Pt和FeSO4作为复合催化剂可有效提高有机硅高沸物的陶瓷转化率。     

无机粉体改性塑料环境友好材料的环境协调性研究

从环境友好材料的角度系统研究无机粉体改性塑料环境友好材料的综合性能,论证了无机粉体改性塑料环境友好材料是一类经济性、功能性和环境协调性有机统一的材料,探讨了"可环境消纳助剂"可强化无机粉体改性塑料的环境消纳特性;重点介绍了无机粉体的筛选原则及环境协调性,总结了无机粉体改性塑料环境友好材料仍然存在的缺陷及今后的对策,强调要加快推进提高这一新型改性塑料材料产业化的技术水平;明确了"光钙型多功能环境友好塑料"是狭义上的无机粉体改性塑料环境友好塑料,该技术产品已成为治理塑料"白色污染"的主流产品之一;提出今后"开发性价比高"的无机粉体改性塑料和"具有可环境消纳特性"的"光钙型多功能环境友好塑料"将作为无机粉体改性塑料环境友好材料发展重点的观点。     

挡板对陶瓷干法造粒气-固两相流混合过程的影响

为探究陶瓷干法造粒气-固两相流混合过程挡板对粉体混合效果影响,构建欧拉气-固两相流模型分析空气与粉体相互作用,简化造粒区域并建立粉体混合过程三维物理模型,采用滑移网格法、多重参考系法模拟造粒室旋转运动,修正RNG离散模型分析湍流状态.根据径向及轴向粉体体积分数分布、速度场探究不同挡板对粉体混合影响,并改进挡板位置和结构以提高粉体混合程度.结果表明:当造粒室内分别含矩形壁挡板、矩形底挡板、半圆形壁挡板时,粉体轴向体积分数高于0.27的区域分别占总面积29％、40％、37％;粉体径向体积分数高于0.29的区域分别占总面积24％、15％、33％;粉体轴向平均速度分别为0.4 m/s、0.5 m/s、0.6 m/s;对不同粒径的粉体进行密度测定实验,当造粒室内含矩形壁挡板时,粉体密度基本为1.9 g/cm3,一致性较好.该结果显示矩形壁挡板造粒室内的粉体堆积程度最低,粉体混合性能最优,该模型及结果能够有助于提高对陶瓷干法造粒室气固两相流流场的理解,并对造粒室挡板设计优化提供一定理论指导.     

纳米SiO2粉体的制备与研究

纳米SiO2粉体的制备是以硅酸钠和盐酸为原料，添加适宜的稳定剂(非离子表面活性剂)和分散剂，在适宜的pH值和温度下，采用化学沉淀法合成。研究表明，要得到性能优良纳米的SiO2粉体，最佳工艺条件为：温度20～40℃，pH=6，反应液质量浓度P1=20g／L，P2=1．20g／L，反应时间15min。结果表明：制备的纳米SiO2粒径30～50nm，比表面积大，分散性好，质量优良，可达到产业化的生产。     

《中国粉体工业通鉴》（2006版）编纂工作全面启动

由我国粉体行业众多知名专家和全国50余家专业媒体联合打造的第2卷《中国粉体工业通鉴》（2006版）将编辑出版，拟于2006年5月由中国科学技术出版社出版（已列入出版选题计划，选题号为05D154），全国发行。     

化学镀法制备SiC/Cu金属陶瓷复合粉体工艺的研究

为改善SiC与其他金属的结合性能，采用化学镀法在SiC粉体上镀Cu，制备包覆型陶瓷颗粒。通过精选、粗化、敏化、活化表面镀前处理，用硫酸铜镀液成功地得到在SiC上均匀镀Cu的包覆粉体，利用Olympus显微镜观察到包覆程度可达95％，通过详细讨论镀液的配方、pH值、镀液与SiC粉体的配比与对包覆效果的影响，最终得到硫酸铜用量控制在10—15g／l能得到我们所控制的沉积反应速度；包覆反应过程中pH值控制在11—13之间较为合适。