非预置光纤冷接续理论探讨

1引言自2010年非预置光纤冷接续理论推出,特别是纳入国家光纤现场连接器标准之后,非预置光纤快速接续连接器产品得以大规模应用,主要生产非预置光纤连接器的厂商有宇特光电、河北恒辉、浙江中雁、南京普天等。江苏宇特光电在2009年推出的第一代非预置光纤连接器,大面积应用于天津、北京、山西、东北等地。通过3年多的使用观察,链路性能稳定、故障率低,完全适应FTTH各种场景及环境,从而进一步验证了非预置光纤接续理论的实用     

语音信号频域盲分离中一种频率对准方法

混合语音信号可以使用盲分离频域解法,对观测信号在每一个频点分别进行复值独立分量分析（CICA）算法来解混并得到分离信号,但带来了幅值和次序不定问题（后者又称频率对准）。讨论了频率对准算法中基于DOA估计的方法,并提出了一种基于分离矩阵初始化的频率对准方法,此方法易于实现。通过仿真表明,该方法较好地解决了次序不定问题．对卷积混合语音信号有较好的分离效果。     

Performance of a Self-Aligned InP/GaInAs SHBT with a Novel T-Shaped Emitter

研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件.该器件的共射直流增益达到170,残余电压约为0.2V,膝点电压仅为0.5V,而击穿电压超过了2V.器件的截止频率达到85GHz,最大振荡频率为72GHz,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.     

采用滑模观测器的机载激光通信视轴精度控制

为了提高机载激光通信系统在机体振动和机械摩擦等扰动下的视轴对准精度,提出了一种基于滑模观测器的反步滑模控制方法。首先建立了机载激光通信系统的数学模型,然后通过设计的滑模观测器对扰动值进行估计,同时针对指令转换模块、激光通信模块和电机模块逐步设计了反步滑模控制律,实现对机载激光通信系统视轴的高精度控制。实验结果表明:提出的方法与分数阶PID控制方法相比突出了更优的快速性和准确性,响应时间仅为0.4 s,最大空间对准误差仅为0.3 m,设计的滑模观测器能够快速、准确地估计出扰动值,响应时间仅为0.3 s,最大估计误差分别仅为0.1 m/s、0.06 (°)/s2 和0.07 A/s,大幅提高了机载激光通信系统中视轴的对准精度。     

空间光-光纤耦合技术进展与实验研究

总结了国内外空间光-光纤耦合技术在无线光通信中的研究进展,以提高空间光-光纤耦合效率为主线,介绍了西安理工大学在该领域的工作,包括空间光光纤耦合自动对准技术、自由空间光模式转换技术、空间光光纤耦合自适应光学波前校正技术、马卡天线的收发一体化技术。介绍了大气湍流中透镜阵列和单透镜耦合至单模光纤的耦合性能、大气湍流中马卡天线作为接收天线时的空间光耦合性能方面的研究进展。最后展望了无线光通信中的空间光-光纤耦合技术的发展前景。     

芯片制作过程中切割道光刻对准标记的优化

在0．18υm高压产品工艺生产过程中,作者发现晶片在钨化学机械研磨制程后会有很严重的鸽剥落缺陷,此种缺陷成行排列,有一定规律,与光罩的曝光间膈距离相匹配,该缺陷会导致产品良率有非常明显的下降。同时在生产过程中也发现在MIM上极板蚀刻后,有些聚合物难以去除,此种残留物也来自曝光的固定位置。因此解决这类与光罩相关的缺陷和残留物显得尤为重要。作者经过深入的研究分析以及实验验证,通过对切割道上的光罩对准标记进行优化,彻底解决了这两种缺陷问题,使得产品的良率得以提升。     

一种高精度基片预对准机构

主要介绍了一种高精度基片预对准机构的设计思想、机构组成、工作原理和精度分析     

Nikon光刻机激光步进对准系统研究

介绍了Nikon光刻机最常用的对准方式,即激光步进对准(LSA)。从基本的光学系统出发,介绍了LSA在Nikon光刻机中的作用,搜索和增强型全局对准(EGA),详细阐述了LSA的工作原理及其对工艺的影响,最后介绍了LSA对准系统的技术指标和作用。     

Ni扩散LiNbO3脊形波导MZ调制器的制作技术

最近几年，宽带光通信系统已成为开发热点，并大大促进了高速集成光学器件的研究与发展。LiNbO3电光调制器由于有带宽较宽、可抑制啁啾性能、波长独立性等优点，是宽带光通信系统必不可少的器件。目前LiNbO3调制器已取得很大进展，但由于LiNbO3具有高介电常数，使带宽受     

自对准硅化物工艺研究

对适用于深亚微米CMOS器件的各种自对准硅化物工艺进行了讨论，并对不同硅化物薄膜的特性进行了分析。结果表明，随着大规模集成电路特征尺寸的不断缩减及其对器件性能要求的不断提高，常规Ti和Co的自对准硅化物工艺已经不能满足器件特征尺寸进一步缩小的需要；Ni的自对准硅化物工艺可以很好地满足超深亚微米及纳米器件对硅化物的需求。