低成本惯导系统在战术导弹上的应用

为使低成本惯导系统的精度与战术导弹改击远程目标的任务相适应,提高导弹的命中率,十分重要的是提高惯导系统初始对准精度。本文研究了飞机主惯导为平台式惯导系统,导弹子惯导为捷联惯导系统的传递对准原理和精度计算方法,文中强调了以主惯导平台为基准,去校正子惯导数学平台的传递对准设计思想,采取了导弹安装误差角处理的合理措施,以达到快速对准的目的,通过仿真研究证实了本文观点的正确性。     

冗余旋转惯导系统两位置初始对准方法

冗余旋转惯导系统(Redundant Rotating Inertial Navigation System, RRINS)可以在传统旋转惯导系统的基础上,进一步提高系统的可靠性。针对该类系统高精度初始对准需求,以正四面体冗余旋转惯导系统为例,研究了两位置初始对准方法。首先以每3个陀螺仪和3个加速度计构成一种组合方式,建立每种组合下惯性器件的零偏与冗余配置相关的解析表达式,并设计RRINS两位置转停方案以估计对应惯性器件的零偏,但是在某些特殊的情况下需要增加观测位置;然后将每个惯性器件在不同组合下得到的结果取均值,并利用该均值对相应惯性器件的测量信息做补偿;最后基于补偿后的惯性器件输出进行RRINS的初始对准。数学仿真和实验验证结果表明,该方法在不同两位置方案下均可有效估计出惯性器件的零偏。仿真中陀螺仪的零偏估计误差在4%以内,加速度计的零偏估计误差基本在2%以内,且相比无零偏补偿的情况,初始对准精度提高10倍以上。实验中水平和方位向的初始对准精度都有提高,航向角对准误差最大减小100倍左右。同时,该方法还可以推广到其他配置方案的冗余旋转惯导系统中,对该类惯导系统初始对准精度的提高具有...     

InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现

从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.     

散射通信车载站天线自动对准技术研究

主要研究散射通信车载站天线快速自动对准技术与实现。针对衰落信道的时变特性,提出了散射通信天线快速自动对准的算法研究及实现方法。在通信工程中得以实现的散射通信天线快速自动对准不需在通信设备中另外增加任何硬件设备的前提下即可实现。该设计方案简单有效、经济实用。对配备该技术的散射通信车载站进行了多次外场试验验证,均取得了良好的效果,受到用户好评。     

像差对星间激光通信系统高精度对准的影响向

为了减小ATP系统的像差对对准的影响,达到提高系统的对准精度的目的,文中以星间ATP系统中的高精度对准平台为基础,分析了激光器处于轴外发射状态时需要考虑的两个位置偏移量(离轴参量h/s和偏移参量ra),提出激光器的位置状态会对像差有着一定的影响.并通过数值仿真,分别分析了在存在激光器位置偏移量时各种像差对对准精度的影响情况.结果表明激光器发射的状态明显影响着像差对对准的影响程度,适当调节激光器发射状态有利于减小像差对对准精度的影响,进而提高对准精度.     

基于ARM的毫米波天线自动对准平台系统设计

在毫米波中继通信设备中,为提高对准精度,缩短对准时间,满足快速反应的要求,并结合毫米波波瓣窄,方向性强的特点,创造性地提出了毫米波天线自动对准平台系统的设计方案。在天线对准过程中,将复杂的的空间搜索转换成两个简单的水平和垂直搜索,简化了搜索控制算法。采用基于ARM的32位微处理器LPC2294进行控制,用步进电机驱动平台和毫米波设备转动,实现毫米波通信设备的快速准确对准。毫米波中继通信设备在国内还处于研发改进阶段,所以该对准平台系统具有极大的参考意义。     

特种物品储运记录仪的设计与研究

特殊物品储运记录仪是能够对车辆行驶速度、路线进行记录存储,并通过惯性器件自主导航的智能装置。以往的储运设备只能粗略记录物品受冲击力的状况,针对这一问题,提出一种基于惯性导航系统的储运记录仪。实验结果表明,设计的基于MEMS器件的捷联式惯性导航系统能够输出满足要求的载体瞬时速度、加速度、姿态、位置等,可以明显加强危险品、敏感材料的运输监控力度。     

日凌与星蚀现象对广播电视系统的影响及其防范方法

日凌与星蚀是两种不可避免的自然天体现象,然而他们对卫生信号正常传输的危害却不可小觑。所谓日凌,是卫得在地球和太阳之间,地球站天线对准卫星的同时亦对准了太阳。     

新型槽栅MOSFETs的特性

采用SIVALCO软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析,结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及热载流子效应,而拐角效应是槽栅器件优于平面器件特性更加稳定的原因.对自对准工艺下成功投片所得沟道长度为140nm的槽栅器件进行测量,结果有力地证明了槽栅器件较平面器件的优越性.     

基于1.5 μm BiCMOS 工艺的SiGe HBT器件设计优化

基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构。该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质浓度低,发射极/基极自对准诸优点。利用TSuprem4和Medici进行工艺模拟和电学特性仿真。结果表明,所设计的的SiGe HBT具有良好的电学特性,其最大电流增益为210,当Vce=2.5 V时,截止频率达到65 GHz,验证了器件结构设计的合理性。