基于光学对准的光刻机投影物镜密集线焦深原位检测技术

提出了一种检测光刻机投影物镜密集线焦深(DOF)的新技术。该技术将具有精细结构的测量标记曝光在硅片上,硅片显影后,由光学对准系统获取曝光在硅片上的测量标记图形的对准位置信息,根据对准位置信息计算得到视场中各点的焦深。与传统的FEM焦深测试技术相比,该技术具有测量精度高、速度快、成本低、操作简单等优点,在光刻工艺参数优化及光刻设备性能评价等方面有很好的应用前景。     

基于1.5 μm BiCMOS 工艺的SiGe HBT器件设计优化

基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构。该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质浓度低,发射极/基极自对准诸优点。利用TSuprem4和Medici进行工艺模拟和电学特性仿真。结果表明,所设计的的SiGe HBT具有良好的电学特性,其最大电流增益为210,当Vce=2.5 V时,截止频率达到65 GHz,验证了器件结构设计的合理性。     

新型槽栅MOSFETs的特性

采用SIVALCO软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析,结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及热载流子效应,而拐角效应是槽栅器件优于平面器件特性更加稳定的原因.对自对准工艺下成功投片所得沟道长度为140nm的槽栅器件进行测量,结果有力地证明了槽栅器件较平面器件的优越性.     

H∞控制理论在捷联惯导系统初始对准中的应用

提出了一种应用H∞控制理论来进行捷联惯性导航系统初始对准的方法。文中介绍了H∞控制理论以及相关定理，并建立了基于观测器思想的初始对准广义受控对象模型。经过与相关理论相结合，提出了一种基于观测器的动态控制的设计方法。最后给出两种设计结果和仿真曲线，根据两种控制器的特点和性能总结出了一套初始对准方法，实际应用结果表明，此方法是可行的。     

校准和对准高级惯性参考球的一种新的软件机械编排

本文介绍一种新的软件机械编排法,它可以不用任何外部基准对弹道惯性导航系统进行连续校准与对准。这种软件编排是由洛克威尔公司·奥特纳蒂克斯分公司为高级惯性参考球研制的,参考球由德雷伯实验室设计制成。用这种编排法制成的惯性系统最近在弹载性能监测系统(1976年7月制成)的飞行测试中工作得十分成功。     

国外战术导弹惯导系统动基座对准方法综述

综合介绍了国外动基座对准技术发展状况和对准方法;指出了它的关键技术和发展趋势。     

高增益硅超高频功率SIT

采用全自对准介质盖栅工艺，通过合理设计，研制成功一种高增益硅超高频功率ＳＩＴ。在４００ＭＨｚ工作频率、５０Ｖ工作电压下，其输出功率Ｐｏ为４０Ｗ，漏极效率η＿Ｄ接近６０％，功率增益Ｇｐ高达１６ｄＢ。Ｐｏ＝２５Ｗ时，三阶交调３ＩＭ为－１６ｄＢ；Ｐｏ＝２．５Ｗ时，３ＩＭ为－５０ｄＢ。     

分步重复自动对准光刻工艺技术研究

介绍了投影光刻机的分步重复自动对准光刻系统,分析了其工作原理;从对准标记的设计、工艺与对准的关系两方面进行了论述,阐述了采用这类自动对准系统的光刻机可能遇到的工艺问题,并提出了相应的解决措施.     

基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT

报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2 μm×12.5 μm的InP HBT的截止频率达到了178GHz.这种器件对高速低功耗的应用非常关键,例如OEIC接收机以及模拟、数字转换器.