宽带单片低噪声放大器的增益温度补偿

分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某一频率时,其增益受温度变化较小的原因.提出了两种自动温度补偿的方法,并分析了每种方法的温度补偿原理.串联源电阻的温度补偿可使PHEMT的漏电流基本保持不变,在一定程度上能降低温度对增益的影响.而自动栅压温度补偿则是强温度补偿,它可随温度的升高,自动提高栅极电压,提高PHEMT的跨导,从而大大减少温度对增益的影响,达到温度补偿的目的.把这两种自动温度补偿的方法结合应用到宽带低噪声放大器中,发现补偿效果良好.试验发现温度补偿后,温度从-55℃~+85℃时和-55℃~+125℃时,放大器的增益在6GHz时的降差分别减小了60%和51%,较大地改善了放大器的温度-增益性能.     

GaN HEMT器件封装技术研究进展

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其宽禁带材料的独特性能,相比硅功率器件具有击穿场强高、导通电阻低、转换速度快等优势,在智能家电、交直流转换器、光伏逆变器以及电动汽车等领域有着广泛的应用前景.但GaN HEMT器件的高功率密度和高频工作特性,给器件封装带来了极大挑战,要使其出色性能得以充分发挥,其封装结构、材...     

量子点薄膜晶体管的研究

溶液加工法制备的胶体半导体量子点(QD)具有低成本和广泛应用于多种电子和光电器件的潜在优势,但是QD表面用作防止团聚的长链配体反而大大降低了QDTFT的载流子迁移率.论文介绍了量子点的制备和量子点TFT的制备,总结了以硫醇、胺或金属硫族化物对QD表面的长链配体进行交换,向QD活性层掺杂In或Sn以增加载流子,以卤族元素...     

Mobility aided localization of wireless sensor networks with inaccurate range measurements

This paper studies the relationship between mobility, navigation and localization in the context of wireless sensor networks with mobile beacons. It is observed that mobility can aid in network node localization and that once localized, the network nodes can localize and track a mobile object and guide its navigation. A distributed kernel-based algorithm is proposed that enables the nodes to establish confident position estimates in the presence of ranging inaccuracies. The proposed approach features robustness with respect to range measurement inaccuracies, low complexity and distributed implementation, using only local information. Simulation validates our approach viable.     

深亚微米下芯片电源网络的设计和验证

随着芯片集成度的逐渐提高,芯片单位面积所消耗的功耗也越来越大,因此,可靠的电源网络设计和验证已成为芯片设计成败的关键因素之一。在以往。集成电路（IC）设计工程师往往根据经验来设计电源网络,但工艺到0．18um,这往往会引起芯片功能失效。根据这个问题。本文首先介绍电压降（IR-Drop）和电子迁移率（Electro-migration）现象和对芯片性能的影响;其次,提出一种有效的电源网络设计和验证方法,并在芯片的物理设计初期对电源网络作可靠性估计;最后,经过椭圆曲线加密芯片（ECC＆RSA）的流片,表明采用该方法设计的芯片,工作情况良好。     

4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs台面隔离技术的改进

采用离子注入和ICP干法刻蚀相结合的台面隔离技术提高了4H-SiC衬底AlGaN/GaNHEMTs的直流特性和高频特性.与只采用干法刻蚀进行台面隔离的器件相比,相邻器件有源区之间的泄漏电流减少了两个数量级,栅肖特基泄漏电流在栅漏电压为-40V时由38.5μA减小到1.2μA,截止频率由3.2 GHz提高到6.7 GHz.分析了器件泄漏电流减小和频率特性提高的原因.     

10Gb/s GaAs PHEMT光接收机前置放大器

简要分析了光接收机分布式前置放大器所具有的宽带优势,研制出了一种利用南京电子器件研究所0．5μm标准GaAs PHEMT工艺实现的10 Gb/s分布式前置放大器。该前置放大器采用损耗补偿技术,由七个共源共栅级联的单元组成,测试结果表明,该分布式前置放大器可以工作在10 Gb/s速率上。     

类 p-i-n 结构 n~ (μc-Si : H)/p(poly-Si)/p~ (poly-Si)薄膜太阳电池的热平衡态特性数值分析

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法，数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡态ｎ＋（μｃ－Ｓｉ∶Ｈ）／ｐ（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）／ｐ＋（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜太阳电池进行计算机数值模拟。说明类ｐ－ｉ－ｎ结构设计使电池获得了较高的短路电流ＪＳＣ，而中间层ｐ（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）的掺杂有利于提高电池的短波量子效率特性，还讨论了ｎ＋（μｃ－Ｓｉ∶Ｈ）和ｐ＋（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）等层厚度对光生载流子收集的影响。     

卤氧化铋光催化剂的改性研究与应用

能源和环境作为当今世界两大热点问题,备受人们的关注。针对这两大问题的解决,光催化技术深受研究人员的青睐。其中,卤氧化铋(BiOX,X=Cl、Br、I)因其特殊的层状结构、适宜的带隙宽度、优异的光电性能,在光催化领域脱颖而出。本文围绕卤氧化铋的结构及性能,介绍了对其改性的研究,通过形貌调控、半导体复合、离子掺杂、表面改性等方法,以提高卤氧化铋及其复合物的活性位点暴露量、光生载流子的传输与分离效率及光吸收性能。同时列举了改性后的卤氧化铋在能源与环境领域的应用,并对不同改性手段的局限性进行了探讨,以期为卤氧化铋的应用提供参考。