特约声明

本刊已人编《中国学术期刊网》（光盘版）、中国科学技术信息研究所《万方数据网》、科学技术部西南信息中心《中文科技期刊数据库》和（台湾）华艺数位艺术股份有限公司《中文电子期刊服务》。其作者文章著作权使用费与本刊稿费一次性付清。凡不同意人编的稿件，请作者在投稿时声明。     

硅表面上的纳米量子点的自组织生长

纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视。作为制备高质量纳米量子点的工艺技术 ,自组织生长方法倍受材料物理学家的青睐。而如何制备尺寸大小与密度分布可控的纳米量子点更为人们所注目。因为这是关系到纳米量子点最终能否器件实用化的关键。文中以此为主线 ,着重介绍了各种 Si表面 ,如常规表面、氧化表面、台阶表面以及吸附表面上 ,不同纳米量子点的自组织生长及其形成机理 ,并展望了其未来发展前景     

《消防科学与技术》杂志网站简介

改版后的《消防科学与技术》杂志网站已经正式开通，为方便本网和大家的互动，加深广大读者及作者朋友对本网的了解，现将本网站的基本情况作简单介绍。     

应用科学管理方式提高安全管理水平

安全管理工作十分重要,如果这项工作做不好,势必会给国家和人民造成巨大的损失,因而,世界各国都非常重视。现代社会中各项事业都有了较大发展和进步,传统的安全管理方式已经不适应现代社会发展要求,我们需要研究、应用科学的管理方式提高安全管理水平,促进我国各项事业的发展。     

连续输出20WAlGaAs／GaAs量子阱激光二极管线列阵

采用ＭＯＣＶＤ实现了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构，获得了连续输出２０Ｗ激光二极管线列阵，线列阵长度１．０ｃｍ，激射波长８０８±４ｎｍ。     

瑞法科学家研究出量子非破坏（QND）测量技术

瑞法科学家研究出量子非破坏（ＱＮＤ）测量技术据美国《Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．》报导，瑞典斯德哥尔摩皇家技术研究院和法国巴黎附近的奥尔墨理论与应用光学研究所的研究小组，各自独立研究出了从光束中提取信息然后再复制出含有相同信息的原光束的技术，这两个小...     

在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性

文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。