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本文介绍一种智能型、高精度PWR控制器SA4828,其控制实行全数字化产生三相脉宽调制波形.本文采用此器件设计大功率直流电源应用于22KW直流电机测试,对感性负载表现出具有纹波小,响应迅速、硬件电路简洁、控制简单易于编写的优点。 相似文献
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从20世纪80年代早期——表面贴装技术(SMT)的出现,人们便开始围绕组装工艺中塑料封装IC器件的湿度敏感性这一严重问题展开了讨论。湿气会扩散到电子封装里面去,这是一个复杂的现象,在制造过程中,受潮的器件不能直接进行回流焊接。许多PCB组装人员经常会误解湿度敏感现象的本质及其工艺指导原则。在生产现场正确地遵循工艺指导原则,是对生产工艺的一个巨大挑战。10年前,我们在ESD(Electrostatic Sensirive Devices静电敏感器件)面前不知所措,而今我们又在MSD面前似乎显得束手无策。随着MSD器件在PCB组装厂中用量的慢慢增长,为了提高电子产品的可靠性,无疑又一次向我们提出了新的挑战。 相似文献
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把金刚石和氮化铝这两种宽带隙半导体集成到同一器件中,将可能获得短波紫外发光二极管和激光二极管。只是集成这两种结构不相似的物质并不容易:氮化铝是纤锌矿结构,而金刚石是立方体组织。德国Munchen科技大学的研究人员采用离子诱导分子束外延法做到了这一点。将掺硅氮化铝薄膜放置在自然生长的掺金刚石基底上,形成双极二极管,可以激发2.7eV~4.8eV(442nm~250nm)范围的激光。为了将该器件改进为发光器件,研究人员将蒸发态钛铝与样品两端电阻接触。 相似文献
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研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分别预测了这两种器件的寿命,提出了10年寿命的0.3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。 相似文献
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赵英 《信息技术与标准化》2006,(11):15-16
1关于IEC/TC110
IEC/TC110平板显示技术委员会是由IEC/TC47/SC47C平板显示器件(FPD)分技术委员会于2002年IEC年会上提出,并于2003年7月由IEC中央办公室确定从IEC/TC47中分离出来新成立的技术委员会。 相似文献