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概括介绍我国表面安装器件十年来的生产发展状况,提供至今生产线的引进分布、品种生产能力、原材料国产化、外形和引线框架标准、市场、国内表面安装技术设备研制动向,说明存在的问题和国外技术上的差距,从而就社会主义市场经济下,如何发展表面安装产业,提出一些建议以供参考。 相似文献
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楼滨乔 《核电子学与探测技术》1993,(4)
本文对最基本的HCMOS器件(反相器和与非门)作了γ辐射损伤实验。通过器件性能变化,分析了γ辐射对电路的作用。 相似文献
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本文根据目前水利设施监控系统的现状和将来的发展,提出一种水利设施综合监控系统的方案设计参考模式,并以闸门群为例,对该参考模式下系统的现地测控层、集中控制层、调度指挥层各结构层级的设计作了介绍。 相似文献
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采用三层多晶硅交迭栅三相埋沟结构,设计并研制成功了60路CCD多路开关动态范围≥50dB,转移效率≥99.99%;非均匀性±5%;最小输入5mV;最大输入信号2V;输入积累时间134μs;串行移出时间2μs;输出幅度≥2V。文章阐述该器件的结构、工作原理、特点、用途、器件参数分析及影响器件因素和专项工艺研究。 相似文献
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本文在阐述捷联式惯导的基本原理以及在鱼雷中应用的必要性的基础上,讨论了鱼雷控制与制导一体化技术及用捷联式惯导的特殊要求和亟待解决的问题。 相似文献
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采用一个最近发展起来的产生区宽度模型,导出了描述阶跃电压作用下MOS电容器的电容-时间瞬态特性方程,给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。 相似文献
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