MOCVD生长薄膜材料制作半导体可饱和吸收镜

介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法，阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理，并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜。     

高功率脉冲水中放电的应用及其发展

首先介绍了高功率脉冲水下放电的机理，然后综合论述了其应用和研究的状况，从较为成熟的脉冲水处理技术到医疗领域的ESWL应用技术，以及在脉冲电场食品杀菌和水下目标探测方面的最新发展和研究，最后指出了高功率脉冲电技术应用前景以及进行更系统和深入研究的必要性。     

乘CES东风众科技巨头争奇斗艳

随着科技的飞速发展。电子产品在人们日常生活和工作中发挥着越来越重要的作用.日前在拉斯韦加斯召开的国际消费电子展（CES）上，全球各地的半导体和电子厂商争相携其最新产品与技术参展。来自全球的2500家电子企业在为期4天的电子展上展出了他们的最新产品与服务。来自世界各地的140000位参观将尽情欣赏消费电子界最新最炫的产品。共同领略这期间涌现的最新产品与技术。向人们展示数字化未来的趋势。[编按]     

IIC-China巡展显示：半导体市场重心向中国转移

3月10日，一年一度的IIC-China巡展，再次在中国深圳开锣。这是环球资源在中国举行举办的第十一次IC技术和方案展示会。伴随着中国电子业的成长，参展商和展位数量均一路飙升，本届IIC今年的IIC-China是成立以来规模最大的一届，共有209家参展商，比去年增加21％，深圳展破纪录的展示了398个展位，比去年猛增33％。     

金刚石/氮化铝发光器件

把金刚石和氮化铝这两种宽带隙半导体集成到同一器件中,将可能获得短波紫外发光二极管和激光二极管。只是集成这两种结构不相似的物质并不容易:氮化铝是纤锌矿结构,而金刚石是立方体组织。德国Munchen科技大学的研究人员采用离子诱导分子束外延法做到了这一点。将掺硅氮化铝薄膜放置在自然生长的掺金刚石基底上,形成双极二极管,可以激发2.7eV～4.8eV(442nm～250nm)范围的激光。为了将该器件改进为发光器件,研究人员将蒸发态钛铝与样品两端电阻接触。     

利用SOA自发辐射和非对称马赫-泽德尔干涉仪实现全光波长变换的研究

对利用SOA中ASE输出频谱,实现全光波长变换的技术进行了理论与实验的研究.在这种波长变换技术中,信号光涮制SOA中的ASE强度和相位,通过光滤波器对ASE输出光谱进行频谱分割,以产生所需要的变换波长信号,并结合一个非对称马赫一泽德尔干涉仪实现信号码型的再反转.根据ASE输出光谱的波长依存性,建立从理论上推导出同相注入模式下的ASE输出功率以及其相位变化的数学表达式.通过实验,测定了波长变换系统的信号误码率、眼图以及时间波形等,并对这些实验结果进行了分析.     

用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径

介绍了10Gbit／s速率的甚短距离光传输系统VSR(Very Short Reach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成(OEIC)接收机的可能性和实现方法。