新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

长江螺山站高水位流量关系和城陵矶（莲花塘）控制水位的研究

螺山站高水位流量关系是确定长江城陵矶（莲花糖）控制水位的基本依据，从基本的河道水力学规律出发，考虑涨落率修正、瞬时比降修正，计算各时段点的代表性比降，和相应糙率，求出均值，根据断面资料，得出高水位的稳定流曲线，并以各日流量转化的稳定流点，进行验证，精度很好，分析了河段区间流量对螺山站稳定流量的影响。阐明了螺山站稳定流量的变化情况和趋势，推求了各次大洪水的超额洪量，计算出莲花糖以上的总入流，根据现今的湖区及槽蓄容积进行洪水演进，计算1954年特大洪水的超额洪量，并分析节三峡水库拦洪后对长江中下游超额水量的影响；对莲花塘不同防洪控制水位进行了技术经济分析和评价，提出了抬高控制水位的具体建议。     

地震资料目标处理解释技术在川东高陡构造地区应用中的典型实例

川东地区自1977年发现石炭系气藏以来，经过二十多年的勘探开发，已成为四川盆地天然气的主要产区之一。回顾二十多年的勘探历史，川东高陡构造勘探经历了由低潜背斜到高陡构造，由构造圈闭气藏到构造-地层复合圈闭气藏，从简单到复杂的勘探过程，在这一过程中，从根本上认识到了川东高陡构造勘探难度，首先，川东高陡构造地区地表地震地质条件差，地下构造复杂，断裂发育，应用地震勘探技术要可靠地查明地下构造形态存在一系列技术难题；再则是石炭系厚度小，变化大，埋深普遍超过4000m，要掌握其变化规律。并可靠地预测厚度十分困难，因此这二十多年的勘探过程是不断实践，认识，再实践，再认识的过程，是一个不断解决勘探技术难题，取得技术发展的过程；与勘探技术的创新，改进和发展是分不开的，本以川东高陡构造地区典型测线的处理解释为例。分析了川东高陡构造地区地震地质条件及地质与地球物理模型。着重介绍该区处理解释技术（这里指针对高陡构造石炭系勘探中暴露的问题，经攻关研究后创建或改进发展的技术方法）以及取得的地质成果。     

高启动力矩多转数节能电机在低产井上的应用

针对低压低产井数逐年增多，在热洗时易产生倒灌，热洗水污染油层，严重影响产量，降低油井开采效益，为此在低产井上采用了高启动力矩多转数节能电机，能有效的防止低产井倒灌，减少了热洗对产量的影响，达到节能降耗的目的。