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基于FPGA的HDB3编译码 总被引:1,自引:0,他引:1
主要分析NRZ(单极性不归零码)码与HDB3码(三阶高密度双极性码)之间的转换原理,并介绍了用FPGA(现场可编程门阵列)完成HDB3编译码器的设计思路。 相似文献
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1 开发背景近年来,在以面阵列型封装、高密度多层板为代表的高密度安装技术高速发展的潮流中,积层多层板,以及与它有关联的微小孔径的加工技术,在两方面特别引人关注:其一是高密度布线,其二是高品质、低成本。采用激光加工微细通孔已成为这一发展潮流中的主流。这种孔加工方式所对应的基板材料,目前主要是采用 相似文献
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概述了适应高密度化和高速化要求的FPC新技术:电沉积聚酰亚胺工艺,半加成法工艺、聚酰亚胺蚀刻工艺。 相似文献
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正英特尔和美光科技(MicronTechnology)日前宣布,已开发出128Gb的NAND闪存,新元件采用了针对闪存改良的20 nm工艺制程,将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。两家公司声称,他们开发出了全球首款独立型128 Gb存储器,并表示将立即使用相同的制程量产20 nm的64 Gb NAND闪存元件,而新的128 Gb元件预 相似文献
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[接上期]1PI蚀刻技术对于2层型FCCL用于手机的FPC开始进入批量化,估计2005年有15000m2以上的产量。通常2层型FCCL的PI基材开孔、开槽是采取冲、钻等机械加工,或者是新的激光加工。考虑到今后FPC线路的高密度化,基板更薄等因素,要适合批量化加工和降低成本,还是选用湿处理工艺,用蚀刻法进行PI基材开孔、开槽。日本Toray-eng公司开发了一种PI蚀刻液—TPE3000液,适用于FPC生产中PI蚀刻。把TPE3000液倒入烧杯,搅拌,放入小片PI膜,按膜的厚度、型号不同而有不同的溶解时间。如Kapton膜(50μm),约3 ̄5分钟;Upilex膜(50μm)和Espane… 相似文献