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91.
新书介绍     
《印制电路资讯》2006,(5):100-103
高密度印刷电路板技术》二版,《全球软硬复合板市场与机会分析》,《2005台湾电路板产业市场调查报告》,《电路板湿制程全书》,……[编者按]  相似文献   
92.
基于FPGA的HDB3编译码   总被引:1,自引:0,他引:1  
主要分析NRZ(单极性不归零码)码与HDB3码(三阶高密度双极性码)之间的转换原理,并介绍了用FPGA(现场可编程门阵列)完成HDB3编译码器的设计思路。  相似文献   
93.
作为LSI电路组装技术,采用立体组装方法大体是可分为3种:(1)圆片级三绯组装方法;(2)芯片级三维组装方法;(3)封装级三维组装方法。它们各有特点,难易程度不同,面临的研究课题也小相  相似文献   
94.
95.
2000年FPGA技术发展探究   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了国际现场可编程逻辑器件的主流厂家Xilinx、Altera和Actel各自的新技术、产品发展特点,归纳介绍了在新世纪以FPGA为代表的数字系统现场集成技术发展的主要特征和应用前景.  相似文献   
96.
1 开发背景近年来,在以面阵列型封装、高密度多层板为代表的高密度安装技术高速发展的潮流中,积层多层板,以及与它有关联的微小孔径的加工技术,在两方面特别引人关注:其一是高密度布线,其二是高品质、低成本。采用激光加工微细通孔已成为这一发展潮流中的主流。这种孔加工方式所对应的基板材料,目前主要是采用  相似文献   
97.
概述了适应高密度化和高速化要求的FPC新技术:电沉积聚酰亚胺工艺,半加成法工艺、聚酰亚胺蚀刻工艺。  相似文献   
98.
99.
正英特尔和美光科技(MicronTechnology)日前宣布,已开发出128Gb的NAND闪存,新元件采用了针对闪存改良的20 nm工艺制程,将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。两家公司声称,他们开发出了全球首款独立型128 Gb存储器,并表示将立即使用相同的制程量产20 nm的64 Gb NAND闪存元件,而新的128 Gb元件预  相似文献   
100.
[接上期]1PI蚀刻技术对于2层型FCCL用于手机的FPC开始进入批量化,估计2005年有15000m2以上的产量。通常2层型FCCL的PI基材开孔、开槽是采取冲、钻等机械加工,或者是新的激光加工。考虑到今后FPC线路的高密度化,基板更薄等因素,要适合批量化加工和降低成本,还是选用湿处理工艺,用蚀刻法进行PI基材开孔、开槽。日本Toray-eng公司开发了一种PI蚀刻液—TPE3000液,适用于FPC生产中PI蚀刻。把TPE3000液倒入烧杯,搅拌,放入小片PI膜,按膜的厚度、型号不同而有不同的溶解时间。如Kapton膜(50μm),约3 ̄5分钟;Upilex膜(50μm)和Espane…  相似文献   
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