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201.
在真空系统中的氘压低于0.1 MPa条件下研究了金属镱的吸氘性能,并对不同原子比的氘化物的物相进行了分析.在常压、300 ℃下,金属镱吸氘不明显;400 ℃时,金属镱经较长时间活化后吸附一定量的氘;500 ℃时,镱升华.400 ℃时的吸氘实验结果表明:从活化至开始吸氘直至吸附平衡需很长时间;氘/镱原子比的高低与吸氘时间有关,饱和吸氘时的原子比最大为2.00;金属镱为面心立方(fcc)结构,a0=0.549 2 nm.具有不同原子比的氘化镱的X射线衍射(XRD)分析结果显示:氘化镱有2种结构,即面心立方结构(a0=0.524 nm)和正交结构(a0=0.588 nm、b0=0.358 nm、c0=0.678 nm);金属镱吸氘后,立方结构氘化镱晶格常数及晶胞体积均发生收缩现象,收缩率分别约为4%和11%.正交结构氘化镱晶胞体积收缩约14%.  相似文献   
202.
采用X射线光电子能谱(XPS)对电沉积Ni-W合金镀层表面膜进行了分析。研究结果表明,Ni-W合金镀层表面存在一层薄的氧化膜,而钨的氧化作用远大于镍,Ni-W合金镀层中W含量的提高对耐蚀性起决定作用。  相似文献   
203.
邱成峰  胡庆华 《电子质量》1998,(12):W020-W022
一、前言 LCD显示器由于体轻等特有的优点而被广泛应用,LCD显示器的生产日新月异。目前STN-LCD、TN-LCD生产厂家,在国内的有近五、六十家,有关LCD理论技术的文章及有关LCD产业方面的综述文章比较常见,对有关LCD在生产技术方面的文章也已有少量发表,但对有关在线上质量控制方法讨论的文章且少见。  相似文献   
204.
交流彩色等离子体存储驱动控制电路设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
针对ACPDP中的关键电路--存储驱动控制电路进行了设计,对该部分电路的工作原理、设计原则、方法以及调试结果进行了论述,指出了该部分电路的一些新课题。  相似文献   
205.
利用X射线能谱仪定量测定黄金首饰成分,选择合理测试参数,经多次测定取其平均值而获得其成分,并借助改变加速电压,判断成分波动范围的合理性。  相似文献   
206.
对几种增黑剂进行了筛选实验研究,选用了两种增黑剂组合使用,提高了遮盖力,使医用X光胶片涂布银量由原业的9g/m2降到了6.8g/m2,与美国医用X光胶片涂布银量(6.7g/m2)相当,照相性能不低于国产医用X光胶片。  相似文献   
207.
采用非对称X结耦合器代替传统的Y分支器,研制了GaAsMach-Zehnder型2×2光开光,得到了小于-22.4dB的串音比和12V左右的开关电压,器件的波导传输损耗小于7dB/cm。预计该器件可广泛应用于GaAs开关列阵及高速光调制等领域。  相似文献   
208.
209.
王刚 《光机电信息》1998,15(3):8-14
本文阐述了高分辨率头戴显示器(HMD)的设计要素和性能。基于上述研究.设计并制作了两种HMD模型,它们均采用单色阴极射线管(CRT)获取高分辨率图像。这些HMD被用于遥测实验。为了便于进一步应用.使用了单色阴极射线管和RGB颜色滤光片.并获得了彩色和高分辨率HMD。它有护目型和透视型两种.预期将有广阔的应用前景。  相似文献   
210.
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