纳米Fe-In2O3颗粒膜的低温磁效应

采用射频溅射法制备了纳米Fe—In2O3颗粒膜，研究了颗粒膜在低温下的两种特殊磁效应——巨磁电阻效应和磁性弛豫效应。磁电阻测量结果表明，当Fe体积分数为35％时，颗粒膜样品的室温磁电阻变化率(△ρ/ρ0)为4．5％，而在温度T=2K时，∑ρ／ρ0达85％。根据颗粒膜低场磁化率-温度(x-T)关系证实，在一定温度下，颗粒膜中纳米Fe颗粒表现出磁性弛豫效应，当截止温度TB=50K时，颗粒膜的磁特性由超顺磁性转变为铁磁性；在截止温度以上，其饱和磁化强度与温度关系符合Bloch的T^3/2定律。     

第五届亚洲纳米技术夏令营(ANC2012)顺利闭幕

第五届亚洲纳米技术夏令营(Asia Nanotech Camp 2012,ANC2012)于2012年7月6日至15日在中国举行。本次夏令营由北京大学主办,北京大学微电子学研究院承办,亚洲纳米论坛、全球华人微纳米分子系统学会、国家自然科学基金委、中科院微电子所、清华大学、国家纳米科学中心、南开大学、天津大学等、华为技术有限公     

温湿度传感器的原理及应用

介绍了温湿度传感器DHT90的主要特点、工作原理、典型应用实例及应用程序。     

斯坦福大学研制的电极可提高光伏效率

纳米基的透明电极由于阳光通透率要高12%,可以提高薄膜太阳能板的效率。加州斯坦福大学的学生开发出了一种先进的设计,通过使用新型的电极,可以提高太阳能光伏板1%的发电效率。     

全面解析今年一季全球半导体硅片产能

国际半导体数据统计机构SICAS近期的统计数据中,表示采用MOS工艺以8英寸等值硅片计,另一类工艺为双极工艺,通常用在模拟电路中。除了标有300 mm硅片MOS之外,双极数据以5英寸等值硅片计,而分立器件以6英寸等值硅片计。总的半导体SC数据,包括双极数据由5英寸转换成8英寸利用转换率0.391及分立器件由6英寸转换成8英寸,利用转换率0.563。所有数据的时间段在2007Q1至2010Q1,包括产能、实际产出及产能利用率,代工的产能单列。产能是按线宽尺寸即小于8英寸、200 mm(8英寸)及300     

松下G90/G120变频空调器电路原理与故障检修(3)

<正> 4 压缩机变频驱动电路 变频空调与普通空调的最大区别就是通过改变电源的频率来对压缩机进行调速,其变频驱动电路如图10所示。其简单工作过程是:由室外机微处理器IC1的①～⑤和(64)脚输出变频控制信号,通过六只光电耦合器对控制信号进行耦合和放大后,送入功率模块驱动电路,最后驱动压缩机按要求的转速运     

雕刻一个纳米“世界”

IBM的研究专家发明了一种成本低廉且相对简单的制作工具,能够可靠地制作小到15纳米的物体。为了展示这种工具,IBM苏黎世实验室的研究人员制作了一个三维的地球地图,其体积小到可以在一粒盐中放下1000幅这样的地图。     

稻壳灰显微结构及其中纳米SiO2的电镜观察

对低温稻壳灰纳米尺度的显微结构进行了SEM、TEM(SAD)研究,首次发现稻壳灰由纳米尺度的SiO2凝胶粒子(～50 nm)疏松地粘聚而成.稻壳灰结构中除了以往报道过的微米尺度的蜂窝孔(～10μm)外,还含有大量由SiO2凝胶粒子非紧密粘聚而形成的纳米尺度孔隙(＜50 nm).纳米尺度的SiO2粒子和纳米尺度的大量孔隙是稻壳灰具有巨大的比表面积(50～100m2/g)和超高火山灰活性的根本原因.     

介观压阻效应

为了突破传统机电转换 ,如压电、压阻及压容等效应的宏观物理局限 ,着手研究介观压阻效应。本文提出 ,通过四个物理过程来实现介观压阻效应。原理上讲 ,在力学信号作用下 ,纳米结构中的应力分布会发生变化 ;应力变化可引起内建电场的产生 ;内建电场将导致纳米结构中量子能态发生改变 ;量子能态改变会引起共振隧穿电流的变化。简述了国内外在上述四个过程方面所做的工作     

电子束纳米光刻技术研究

纳米光刻技术在微电子制作中起着关键作用 ,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。我们使用VB5电子束曝光系统 ,经过工艺研究 ,现已研究出最细分辨率剥离金属条为 17nm ,最小剥离电极间距为 10nm ,最细T型栅为 10 0nm。