机械企业CAD技术应用深化研究

根据目前我国机械企业CAD技术应用的实际情况和特点，机械企业在CAD技术实施完成后，从图库及二次开发、三维造型、图文档管理、系统分析以及CAD与CAPP、CAM集成等方面进行对CAD技术进行深化的问题进行了分析和探讨。     

工作电解液配方的计算机辅助设计软件

介绍一种工作电解液配方的计算机辅助设计系统 WEDS,包括其系统特点、功能模块组成及主要方法原理。并给出了一个该系统的使用实例。试验表明这是一个十分有效、实用的电解液配方辅助设计。     

基于BSG模型的BBL布局

布局是VLSI物理设计的关键步骤之一.对于一般的BBL布局,一个基本问题是如何对布局问题的解进行有效的表示,文献[1]提出了BSG模型并对non-slicing结构的BBL布局进行了成功的表示.文章对BSG模型进行了研究和实现,并在用模拟退火算法实现过程中进行了搜索策略的改进,得到了较好的实验结果.     

基于特性模型与神经网络的乳腺图像肿块自动检测技术

钼靶X线摄影是最常用的乳腺癌早期诊断手段。该文针对乳腺图像中的肿块提出了一种基于特性模型与神经网络的计算机辅助诊断技术。它首先建立两种特性模型分别描述脂肪组织和腺体组织中的肿块;然后对脂肪中的肿块采用迭代阈值法进行检测,对腺体中的肿块采用小波域黑洞检索法进行标记;接着采用一种基于Canny算子和能量场约束以及ANFIS控制的填充膨胀方法分割疑似肿块;最后使用一种MLP分类器剔除假阳性。实验结果表明,该算法在面对特性迥异的多种肿块时可取得较高的检测精度,并保证较低的假阳性率。     

贴片机脱机编程的快捷方法

SMT生产线中的大多数加工设备均为数控设备。它们编程所需要的大多数特征数据均可从CAD设计系统中得到。文章介绍了如何从CAD设计系统中导出X、Y坐标数据,并转换成贴片数据的方法和思路,以期引起更多的同行加入到这方面的研究中。     

薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二维电流模型

本文在分析薄膜全耗尽SOI器件特殊物理效应的基础上,建立了可细致处理饱和区工作特性的准二维电流模型。该模型包括了场效应载流子迁移率、速度饱和以及短沟道效应等物理效应,可以描述薄膜全耗尽SOI器件所特有的膜厚效应、正背栅耦合(背栅效应)等对器件特性的影响,并且保证了电流、电导及其导数在饱和点的连续性。将模型模拟计算结果与二维器件数值模拟结果进行了对比,在整个工作区域(不考虑载流子碰撞离化的情况下)二者吻合得很好。     

CAD OF MILLIMETER WAVE OSCILLATORS WITH THE FDHB TECHNIQUE

In this paper the modelling, analysis and optimization of millimeter wave oscillatorsare investigated by using the a frequency-domain harmonic balance technique (FDHB), where theexternal-circuit impedances looking outside from the active device are calculated with a combinedtechnique of modes expansion, Galerkin, and collocation methods. The optimization results arein agreement with the experimental ones, which show the reliability of the presented model andoptimization.     

TDA4501—TDA3565亮度通道CAD优化设计

本文概要介绍如何通过CAA及CAD提高图像分辨率。     

新型微波有源滤波器综合方法

本文给出了一种新颖的微波有源滤波器的拓扑结构及综合方法，并对有源滤波电路进行了计算机模拟，结果表明本文给出的微波有源滤波器电路具有优良的的窄带滤波特性，通带内正向增益大于１０ｄＢ，带外抑制大于３０ｄＢ。     

COMPUTER AIDED ANALYSIS OF CARRIER ENERGY TRANSPORT IN MOSFETs

The two-dimensional numerical simulation of energy transport for MOSFETs ispresented,in which the effect of generation,recombination and temperature gradient of carrierson the characteristics of devices are considered.An improved mobility model is also proposed.The numerical results of micron and submicron MOSFETs show that the present model fitsexperiment very well.