影响当代广告创意的营销理论

CIS理论、体验营销理论和整合营销传播理论是20世纪下半叶重要的营销理论,它们深刻影响了当代广告创意,包括创意的形式要素、主题选择和思维导向等方面。文章结合理论阐述与案例分析,对这些影响进行深入探讨,力求从营销学的角度来揭示广告创意的规律。     

CMOS图像传感器中数字噪声抑制技术研究

设计了一种可以降低CMOS图像传感器(CIS)中数字噪声对模拟信号影响的时序.在时序控制电路中加入了门控时钟,使数字电路各模块可分时工作,在模拟电路采样阶段保持静止以抑制噪声.理论分析和测试结果表明,采样阶段噪声减小70%,其他时间噪声减小20%.     

一种接触式图像传感器非均匀性实时校正方法

提出了一种接触式图像传感器(CIS)非均匀性的校正方法,能够快速高效地对CIS图像的非均匀性进行校正,消除其不一致性,提高了图像质量.该方法采用改进的分区两点法进行校正,分为标定和校正2个过程.标定过程获取CIS中各个光敏单元的校正系数和灰度偏移量,校正过程利用标定值对CIS的输出进行校正和补偿,最终得到均匀的CIS图像.校正过程利用现场可编程门阵列(FPGA)实现,在图像传输的过程中同时进行,每次采集的校正延时不到0.5μs,具有极强的实时性.     

人工耳蜗语音信号处理CIS算法的设计与实现

文中采用硬件方法对人工耳蜗语音信号处理的CIS算法加以实现.分析了人工耳蜗的基本组成和CIS算法的原理,采用二阶节级连的形式来实现各通道的IIR滤波器,降低系数间的差异;采用乒乓操作来减少存储器的需求;兼容SPEAK策略,具有灵活的调节能力.仿真结果满足精度和频率的要求.     

Electroless Ni/Au Bump on a Copper Patterned Wafer for the CMOS Image Sensor Package in Mobile Phones

Wafer bumping technology using an electroless Ni/Au bump on a Cu patterned wafer is studied for the flip chip type CMOS image sensor (CIS) package for the camera module in mobile phones. The effect of different pretreatment steps on surface roughness and etching of Cu pads is investigated to improve the adherence between the Cu pad and the Ni/Au bump. This study measures the shear forces on Ni/Au bumps prepared in different ways, showing that the suitable pretreatment protocol for electroless Ni plating on Cu pads is “acid dip followed by Pd activation” rather than the conventional progression of “acid-dip, microetching, and Pd activation.” The interface between the Cu pad and the Ni/Au bump is studied using various surface analysis methods. The homogeneous distribution of catalytic Pd on the Cu pad is first validated. The flip chip package structure is designed, assembled, and tested for reliability. The successful flip chip bonding in the CIS package is characterized in terms of the cross-sectional structure in which the anisotropic conductive film (ACF) particles are deformed to about 1.5 μm in diameter. The experimental results suggest that electroless Ni/Au can be applied to the flip chip type CIS package using Cu patterned wafers for high mega pixel applications.     

应用于CMOS图像传感器的带保护LDO电路的设计

随着CMOS图像传感器(CIS)的广泛应用,低功耗、高集成化、高稳定性成为其发展趋势,低压差线性稳压器(LDO)因体积小、功耗低、噪声低及电源抑制比高等优点而满足芯片供电需求.为了避免传统电源在芯片异常时仍持续工作致使功耗增加或芯片烧毁,设计了一种可应用于CMOS图像传感器的LDO电路,并加入了LDO的保护电路结构.该保护电路具有欠压保护与过流保护的功能,并能够通过数字电路对LDO进行使能控制.基于0.11 μm CMOS工艺平台对LDO及其保护电路进行仿真与分析,完成了该工艺下电路版图的绘制和验证.     

指挥信息系统体系结构设计研究

面对通信业务的不断增加,用户需求的不断扩大,世界各国越来越重视C4ISR系统体系结构的发展。在介绍C4ISR体系结构发展历程的基础上,结合国内综合电子信息系统发展现状,以DoDAF 2.0为基础,介绍了体系结构设计方法、开发过程和采用的开发工具,并设计出部分产品。然后分析了综合电子信息系统当前存在的问题,提出了改进措施,最后,结合云计算技术和网络中心战,提出了指挥信息系统体系结构发展趋势。     

高性能单光子雪崩二极管在180 nm CMOS工艺中的设计与实现

为了实现大阵列电路集成,文中设计和实现了一种能与主动淬火电路集成的宽光谱范围和快速的单光子雪崩二极管(SPAD)芯片.一个精确的单光子雪崩二极管电路模型模拟了其在盖革模式下的静态和动态行为.该有源区直径为8 μm的单光子雪崩二极管器件是基于上海宏利GSMC 180 nm CMOS图像传感器(CIS)技术实现的.由于采用有效的器件结构,其击穿电压是15.2 V,淬灭时间是7.9 ns.此外,该器件实现了宽的光谱灵敏度,其在低过电压下的光子探测概率(PDP)从470 nm到680 nm光波长段最高可达15.7%.并且它在室温下的暗计数率相当低.     

一种用于CMOS图像传感器的Column-Level模数转换器

设计了一种用于CMOS图像传感器(CIS)的column-level模数转换器(ADC)。它由一种新型斜坡发生器构成,具有分辨率可调的特点,而且以简单的结构实现了高精度和低功耗,占用较小的版图面积。基于0.35μm2P4M标准CMOS工艺,8bit ADC转换时间约50μs,最大线性误差小于±0.5LSB。在分辨率为640×480pixel的CIS中,每列共用1个比较器,提高了传感器的吞吐速率,帧频约40fps;3.3V电压下ADC总功耗不超过27mW,占用版图面积约0.5mm2。     

一种新型光学探头的研制

本文提出一种新型的光学探头的设计方法，该光学探头可以同时用来测量某一镜面反射表面某一点的离面位移和两个角度。本文同时采用了一个小功率激光器为光源，一种新型的ＣＭＯＳ图象传感器为光电传感器件。通过相关分析法和数据拟合等图象处理技术，提高了整套系统的精度和分辨率。一个较为明显的优点是位移和角度的测量是互不影响的。实验证实了该方法位移测量时具有精度为±１５微米，分辨率５微米；角度测量时具有精度±２５秒，分辨率１０秒。